N+、O+共注入形成SOI绝缘埋层的计算机模拟
N+、O+공주입형성SOI절연매층적계산궤모의
Computer simulation for the formation of insulator layer of SOI by co-implantation of N+ and O+
  • 万方数据
    核技术 핵기술
    NUCLEAR TECHNIQUES
    2003年 3期 212-216 ,共5页

    林青%刘相华%朱鸣%谢欣云%林成鲁

    림청%류상화%주명%사흔운%림성로

    N+、O+共注入,SIMON,SOI,IRIS N+、O+共註入,SIMON,SOI,IRIS
    N+、O+공주입,SIMON,SOI,IRIS
    将不同能量和注量的N+和O+离子依次注入于<100>硅片并高温退火,形成具有SiO2/SiOxNy/Si3N4埋层的SOI结构.本文使用在TRIM的基础上发展起来的IRIS模拟程序,并对IRIS模型进行了改进,对N+、O+离子共注入形成的SIMON结构进行了计算机模拟,并与实验制作的样品所做截面透射电镜(TEM)测试结果进行了比较,发现模拟结果与实验所得数据吻合.
    장불동능량화주량적N+화O+리자의차주입우<100>규편병고온퇴화,형성구유SiO2/SiOxNy/Si3N4매층적SOI결구.본문사용재TRIM적기출상발전기래적IRIS모의정서,병대IRIS모형진행료개진,대N+、O+리자공주입형성적SIMON결구진행료계산궤모의,병여실험제작적양품소주절면투사전경(TEM)측시결과진행료비교,발현모의결과여실험소득수거문합.
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