材料研究学报
材料研究學報
재료연구학보
CHINESE JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH
2001年
4期
451-454
,共4页
王喜莲%李浴春%韩爱珍%高元恺%杨志伟
王喜蓮%李浴春%韓愛珍%高元愷%楊誌偉
왕희련%리욕춘%한애진%고원개%양지위
InGaAs薄膜%电共沉积
InGaAs薄膜%電共沉積
InGaAs박막%전공침적
用电共沉积方法制备出4种InGaAs薄膜,用能谱析仪分析了薄膜成分,用分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率结果表明,InxGa1-xAs薄膜为多晶结构,晶粒尺寸约为0.25μm,晶粒细致、均匀,其V-I特性是线性的,随着Ga含量的减少,发光波长增大.InGaAs薄膜的发射光波长为1.3～1.5μm.
用電共沉積方法製備齣4種InGaAs薄膜,用能譜析儀分析瞭薄膜成分,用分光光度計和單色儀測量薄膜的透射率結果錶明,InxGa1-xAs薄膜為多晶結構,晶粒呎吋約為0.25μm,晶粒細緻、均勻,其V-I特性是線性的,隨著Ga含量的減少,髮光波長增大.InGaAs薄膜的髮射光波長為1.3～1.5μm.
용전공침적방법제비출4충InGaAs박막,용능보석의분석료박막성분,용분광광도계화단색의측량박막적투사솔결과표명,InxGa1-xAs박막위다정결구,정립척촌약위0.25μm,정립세치、균균,기V-I특성시선성적,수착Ga함량적감소,발광파장증대.InGaAs박막적발사광파장위1.3～1.5μm.
