电子学报
電子學報
전자학보
ACTA ELECTRONICA SINICA
2000年
5期
65-67
,共3页
陈勇%杨谟华%于奇%王向展%李竟春%谢孟贤
陳勇%楊謨華%于奇%王嚮展%李竟春%謝孟賢
진용%양모화%우기%왕향전%리경춘%사맹현
MOSFET衬底电流%热载流子效应%BERT肖特基金半接触%新型CMOS电路结构
MOSFET襯底電流%熱載流子效應%BERT肖特基金半接觸%新型CMOS電路結構
MOSFET츤저전류%열재류자효응%BERT초특기금반접촉%신형CMOS전로결구
本文在分析MOSFET衬底电流原理的基础上,提出了一种新型抗热载流子退化效应的CMOS数字电路结构.即通过在受热载流子退化效应较严重的NMOSFET漏极串联一肖特基二级管,来减小其所受电应力.经SPICE及电路可靠性模拟软件BERT2.0对倒相器的模拟结果表明:该结构使衬底电流降低约50%,器件的热载流子退化效应明显改善而不会增加电路延迟;且该电路结构中肖特基二级管可在NMOSFET漏极直接制作肖特基金半接触来方便地实现,工艺简明可行又无须增加芯片面积.
本文在分析MOSFET襯底電流原理的基礎上,提齣瞭一種新型抗熱載流子退化效應的CMOS數字電路結構.即通過在受熱載流子退化效應較嚴重的NMOSFET漏極串聯一肖特基二級管,來減小其所受電應力.經SPICE及電路可靠性模擬軟件BERT2.0對倒相器的模擬結果錶明:該結構使襯底電流降低約50%,器件的熱載流子退化效應明顯改善而不會增加電路延遲;且該電路結構中肖特基二級管可在NMOSFET漏極直接製作肖特基金半接觸來方便地實現,工藝簡明可行又無鬚增加芯片麵積.
본문재분석MOSFET츤저전류원리적기출상,제출료일충신형항열재류자퇴화효응적CMOS수자전로결구.즉통과재수열재류자퇴화효응교엄중적NMOSFET루겁천련일초특기이급관,래감소기소수전응력.경SPICE급전로가고성모의연건BERT2.0대도상기적모의결과표명:해결구사츤저전류강저약50%,기건적열재류자퇴화효응명현개선이불회증가전로연지;차해전로결구중초특기이급관가재NMOSFET루겁직접제작초특기금반접촉래방편지실현,공예간명가행우무수증가심편면적.
