光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
1999年
4期
351-354
,共4页
Tm3+:YVO4晶体%光吸收谱%光学各向异性
Tm3+:YVO4晶體%光吸收譜%光學各嚮異性
Tm3+:YVO4정체%광흡수보%광학각향이성
在室温下测量了3种不同的掺杂浓度(6.0at%,4.0at%,3.2at%)YVO4:Tm3+在200～900 nm波段的吸收光谱.结果指出,Tm3+掺杂的YVO4晶体光吸收值随Tm3+浓度而变化,每一谱带形状和结构是相似的;而高掺杂浓度Tm3+的光吸收相对强度比低掺杂浓度的YVO4吸收强;不同晶轴YVO4晶体吸收质显示出各向异性.观察到在a晶轴含有π和σ偏振的吸收谱.简要地讨论了Tm3+:YVO4光吸收能级跃迁性质.
在室溫下測量瞭3種不同的摻雜濃度(6.0at%,4.0at%,3.2at%)YVO4:Tm3+在200～900 nm波段的吸收光譜.結果指齣,Tm3+摻雜的YVO4晶體光吸收值隨Tm3+濃度而變化,每一譜帶形狀和結構是相似的;而高摻雜濃度Tm3+的光吸收相對彊度比低摻雜濃度的YVO4吸收彊;不同晶軸YVO4晶體吸收質顯示齣各嚮異性.觀察到在a晶軸含有π和σ偏振的吸收譜.簡要地討論瞭Tm3+:YVO4光吸收能級躍遷性質.
재실온하측량료3충불동적참잡농도(6.0at%,4.0at%,3.2at%)YVO4:Tm3+재200～900 nm파단적흡수광보.결과지출,Tm3+참잡적YVO4정체광흡수치수Tm3+농도이변화,매일보대형상화결구시상사적;이고참잡농도Tm3+적광흡수상대강도비저참잡농도적YVO4흡수강;불동정축YVO4정체흡수질현시출각향이성.관찰도재a정축함유π화σ편진적흡수보.간요지토론료Tm3+:YVO4광흡수능급약천성질.
