低温物理学报
低溫物理學報
저온물이학보
CHINESE JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS
1999年
4期
269-273
,共5页
张宏%吴艺雄%王智河%周锷猷%任琮欣%江炳尧%牟海川%柳襄怀
張宏%吳藝雄%王智河%週鍔猷%任琮訢%江炳堯%牟海川%柳襄懷
장굉%오예웅%왕지하%주악유%임종흔%강병요%모해천%류양부
用低压MOCVD多源法在单晶YSZ和具有双轴取向IBAD-YSZ的金属基带上沉积了YBCO膜,它们的Jc(77.3K,0T)分别为～2×106A/cm2和～7×104A/cm2.分析了本试验中的Jc差别原因.在单晶YSZ上YBCO高Jc 数值显示了用MOCVD制备涂层膜导体的潜力.
用低壓MOCVD多源法在單晶YSZ和具有雙軸取嚮IBAD-YSZ的金屬基帶上沉積瞭YBCO膜,它們的Jc(77.3K,0T)分彆為～2×106A/cm2和～7×104A/cm2.分析瞭本試驗中的Jc差彆原因.在單晶YSZ上YBCO高Jc 數值顯示瞭用MOCVD製備塗層膜導體的潛力.
용저압MOCVD다원법재단정YSZ화구유쌍축취향IBAD-YSZ적금속기대상침적료YBCO막,타문적Jc(77.3K,0T)분별위～2×106A/cm2화～7×104A/cm2.분석료본시험중적Jc차별원인.재단정YSZ상YBCO고Jc 수치현시료용MOCVD제비도층막도체적잠력.
