物理学报
物理學報
물이학보
2003年
1期
207-210
,共4页
谢欣云%林青%门传玲%刘卫丽%徐安怀%林成鲁
謝訢雲%林青%門傳玲%劉衛麗%徐安懷%林成魯
사흔운%림청%문전령%류위려%서안부%림성로
氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜%SOIM新结构%多孔硅外延转移
氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜%SOIM新結構%多孔硅外延轉移
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制备在以SiO2为绝缘埋层的SOI材料上的电子器件存在着自加热问题.为减少自加热效应和满足一些特殊器件/电路的要求,利用多孔硅外延转移技术制备出以二氧化硅和氮化硅为多绝缘埋层的SOI新结构.高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的SOIM新结构具有很好的结构和电学性能,退火后的氮化硅埋层为非晶结构.
製備在以SiO2為絕緣埋層的SOI材料上的電子器件存在著自加熱問題.為減少自加熱效應和滿足一些特殊器件/電路的要求,利用多孔硅外延轉移技術製備齣以二氧化硅和氮化硅為多絕緣埋層的SOI新結構.高分辨率透射電鏡和擴展電阻測試結果錶明得到的SOIM新結構具有很好的結構和電學性能,退火後的氮化硅埋層為非晶結構.
제비재이SiO2위절연매층적SOI재료상적전자기건존재착자가열문제.위감소자가열효응화만족일사특수기건/전로적요구,이용다공규외연전이기술제비출이이양화규화담화규위다절연매층적SOI신결구.고분변솔투사전경화확전전조측시결과표명득도적SOIM신결구구유흔호적결구화전학성능,퇴화후적담화규매층위비정결구.
