半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2002年
10期
1093-1097
,共5页
沈晓明%付羿%冯淦%张宝顺%冯志宏%杨辉
瀋曉明%付羿%馮淦%張寶順%馮誌宏%楊輝
침효명%부예%풍감%장보순%풍지굉%양휘
立方相GaN%MOVPE%侧向外延%SEM%TEM
立方相GaN%MOVPE%側嚮外延%SEM%TEM
립방상GaN%MOVPE%측향외연%SEM%TEM
尝试用侧向外延(ELOG)方法来降低立方相GaN中的层错密度.侧向外延是在SiO2/GaN/GaAs图形衬底上进行的,对生长所得的立方相GaN外延层用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)进行了观察和分析,TEM的平面像表明经过ELOG方法生长后,立方相GaN外延层中的层错密度由侧向外延生长前的5×109cm-2降低至生长后的6×108cm-2.双晶X射线衍射(DCXRD)测量给出侧向外延前后外延层ω扫描(002)衍射摇摆曲线的半高宽(FWHM)分别为33′和17.8′,表明晶体质量有了较大改善.对立方相GaN侧向外延过程中层错减少的机制进行了讨论.
嘗試用側嚮外延(ELOG)方法來降低立方相GaN中的層錯密度.側嚮外延是在SiO2/GaN/GaAs圖形襯底上進行的,對生長所得的立方相GaN外延層用掃描電子顯微鏡(SEM)和透射電子顯微鏡(TEM)進行瞭觀察和分析,TEM的平麵像錶明經過ELOG方法生長後,立方相GaN外延層中的層錯密度由側嚮外延生長前的5×109cm-2降低至生長後的6×108cm-2.雙晶X射線衍射(DCXRD)測量給齣側嚮外延前後外延層ω掃描(002)衍射搖襬麯線的半高寬(FWHM)分彆為33′和17.8′,錶明晶體質量有瞭較大改善.對立方相GaN側嚮外延過程中層錯減少的機製進行瞭討論.
상시용측향외연(ELOG)방법래강저립방상GaN중적층착밀도.측향외연시재SiO2/GaN/GaAs도형츤저상진행적,대생장소득적립방상GaN외연층용소묘전자현미경(SEM)화투사전자현미경(TEM)진행료관찰화분석,TEM적평면상표명경과ELOG방법생장후,립방상GaN외연층중적층착밀도유측향외연생장전적5×109cm-2강저지생장후적6×108cm-2.쌍정X사선연사(DCXRD)측량급출측향외연전후외연층ω소묘(002)연사요파곡선적반고관(FWHM)분별위33′화17.8′,표명정체질량유료교대개선.대립방상GaN측향외연과정중층착감소적궤제진행료토론.
