电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2002年
3期
10-12
,共3页
钡钕钛铌瓷%钨青铜结构%Nb取代%缺陷结构%介电常数
鋇釹鈦鈮瓷%鎢青銅結構%Nb取代%缺陷結構%介電常數
패녀태니자%오청동결구%Nb취대%결함결구%개전상수
以Ba3Nd3Ti10O30为基,通过不同量的Nb取代实验,探讨Nb取代对Ba3Nd3Ti10-nNbnO27.5+n/2瓷(n=0～10 mol)(简称BNTN)介电性能和结构的影响.实验结果表明,Nb取代使其?显著提高,并改变??与频率特性.XRD、SEM结构分析可知,主晶相为非填满型钨青铜结构四方晶相.Nb取代产生VA2(Ba)缺位,缺陷结构有利于电子、离子位移极化的发生,晶相极化率增大.显然Nb取代引起这种结构变化是?显著提高的主要机制.
以Ba3Nd3Ti10O30為基,通過不同量的Nb取代實驗,探討Nb取代對Ba3Nd3Ti10-nNbnO27.5+n/2瓷(n=0～10 mol)(簡稱BNTN)介電性能和結構的影響.實驗結果錶明,Nb取代使其?顯著提高,併改變??與頻率特性.XRD、SEM結構分析可知,主晶相為非填滿型鎢青銅結構四方晶相.Nb取代產生VA2(Ba)缺位,缺陷結構有利于電子、離子位移極化的髮生,晶相極化率增大.顯然Nb取代引起這種結構變化是?顯著提高的主要機製.
이Ba3Nd3Ti10O30위기,통과불동량적Nb취대실험,탐토Nb취대대Ba3Nd3Ti10-nNbnO27.5+n/2자(n=0～10 mol)(간칭BNTN)개전성능화결구적영향.실험결과표명,Nb취대사기?현저제고,병개변??여빈솔특성.XRD、SEM결구분석가지,주정상위비전만형오청동결구사방정상.Nb취대산생VA2(Ba)결위,결함결구유리우전자、리자위이겁화적발생,정상겁화솔증대.현연Nb취대인기저충결구변화시?현저제고적주요궤제.
