真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2002年
2期
127-130
,共4页
田晶泽%张恒大%宋建华%吕反修%唐伟忠%夏立芳
田晶澤%張恆大%宋建華%呂反脩%唐偉忠%夏立芳
전정택%장항대%송건화%려반수%당위충%하립방
立方氮化硼%活性反应离子镀%界面
立方氮化硼%活性反應離子鍍%界麵
립방담화붕%활성반응리자도%계면
采用自行研制的磁增强活性反应离子镀系统,在脉冲偏压条件下成功地合成了高品质立方氮化硼(c-BN)薄膜.用傅立叶变换红外谱(FTIR)分析沉积膜的相结构,用透射电镜(TEM)及高分辨率透射电镜(HRTEM)分析膜的断面结构.FTIR结果表明:c-BN的纯度强烈地受基片负偏压的影响,当基片负偏压为155 V,c-BN膜的纯度高达90%以上.TEM及HRTEM对膜的断面结构分析表明,在膜与基片的界面处存在很薄的非晶氮化硼和六方氮化硼(h-BN)层,h-BN(0002)晶面垂直于基片表面,在界面层之上生长着单相c-BN层.
採用自行研製的磁增彊活性反應離子鍍繫統,在脈遲偏壓條件下成功地閤成瞭高品質立方氮化硼(c-BN)薄膜.用傅立葉變換紅外譜(FTIR)分析沉積膜的相結構,用透射電鏡(TEM)及高分辨率透射電鏡(HRTEM)分析膜的斷麵結構.FTIR結果錶明:c-BN的純度彊烈地受基片負偏壓的影響,噹基片負偏壓為155 V,c-BN膜的純度高達90%以上.TEM及HRTEM對膜的斷麵結構分析錶明,在膜與基片的界麵處存在很薄的非晶氮化硼和六方氮化硼(h-BN)層,h-BN(0002)晶麵垂直于基片錶麵,在界麵層之上生長著單相c-BN層.
채용자행연제적자증강활성반응리자도계통,재맥충편압조건하성공지합성료고품질립방담화붕(c-BN)박막.용부립협변환홍외보(FTIR)분석침적막적상결구,용투사전경(TEM)급고분변솔투사전경(HRTEM)분석막적단면결구.FTIR결과표명:c-BN적순도강렬지수기편부편압적영향,당기편부편압위155 V,c-BN막적순도고체90%이상.TEM급HRTEM대막적단면결구분석표명,재막여기편적계면처존재흔박적비정담화붕화륙방담화붕(h-BN)층,h-BN(0002)정면수직우기편표면,재계면층지상생장착단상c-BN층.
