半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2001年
11期
1374-1376
,共3页
孙洋%王圩%陈娓兮%刘国利%周帆%朱洪亮
孫洋%王圩%陳娓兮%劉國利%週帆%硃洪亮
손양%왕우%진미혜%류국리%주범%주홍량
电吸收%调制器%偏振不灵敏EEACC:1250
電吸收%調製器%偏振不靈敏EEACC:1250
전흡수%조제기%편진불령민EEACC:1250
用一种新的方法制作出应用于光网络系统的电吸收调制器,应用应变InGaAs/InAlAs材料做多量子阱,实验测量的调制器调制性能显示出器件的偏振不相关性,以及其高消光比(＞40dB)和低电容(＜O.5pF),保证了器件可以应用于高速率的传输系统(＞10GHz).
用一種新的方法製作齣應用于光網絡繫統的電吸收調製器,應用應變InGaAs/InAlAs材料做多量子阱,實驗測量的調製器調製性能顯示齣器件的偏振不相關性,以及其高消光比(＞40dB)和低電容(＜O.5pF),保證瞭器件可以應用于高速率的傳輸繫統(＞10GHz).
용일충신적방법제작출응용우광망락계통적전흡수조제기,응용응변InGaAs/InAlAs재료주다양자정,실험측량적조제기조제성능현시출기건적편진불상관성,이급기고소광비(＞40dB)화저전용(＜O.5pF),보증료기건가이응용우고속솔적전수계통(＞10GHz).
An electro-absorption modulator is fabricated for optical network system. The strained nGaAs/InAlAs
MQW shows improved modulation properties, including polarization independent, high extinction ratio (＞40dB)
and low capacitance (＜0. 5pF), with which, an ultra-high frequency (＞10GHz) can be obtained.
