半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2005年
12期
23-25
,共3页
纳米晶硅%热退火%拉曼散射
納米晶硅%熱退火%拉曼散射
납미정규%열퇴화%랍만산사
报道了氢化非晶硅薄膜在600～620℃温度下快速退火10s可以形成纳米晶硅,其喇曼散射表明,在所形成的纳米晶硅在薄膜中分布是随机的,其直径在1.6～15nm以内.并且在强光照射下观察了纳米晶硅在薄膜中的结晶和生长情况.
報道瞭氫化非晶硅薄膜在600～620℃溫度下快速退火10s可以形成納米晶硅,其喇曼散射錶明,在所形成的納米晶硅在薄膜中分佈是隨機的,其直徑在1.6～15nm以內.併且在彊光照射下觀察瞭納米晶硅在薄膜中的結晶和生長情況.
보도료경화비정규박막재600～620℃온도하쾌속퇴화10s가이형성납미정규,기나만산사표명,재소형성적납미정규재박막중분포시수궤적,기직경재1.6～15nm이내.병차재강광조사하관찰료납미정규재박막중적결정화생장정황.
