半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
z1期
300-305
,共6页
赵有文%董志远%魏学成%李晋闽
趙有文%董誌遠%魏學成%李晉閩
조유문%동지원%위학성%리진민
ZnO%化学气相传输%生长模式%二维成核
ZnO%化學氣相傳輸%生長模式%二維成覈
ZnO%화학기상전수%생장모식%이유성핵
借助传输剂的作用,化学气相传输法(CVT)ZnO单晶生长过程具有足够高的组分过饱和蒸气压,因而具有很强的生长驱动力.控制单晶的成核和生长模式成为获得大尺寸ZnO单晶的关键.对不同条件下CVT法ZnO单晶生长的实验现象、晶体表面形貌和晶体质量进行了研究分析,给出了晶体生长模式与生长温度、化学配比等条件的关系.并在此基础上实现了ZnO单晶的二维成核生长模式的控制,获得厚度均匀、单一晶向的高质量大尺寸ZnO单晶.
藉助傳輸劑的作用,化學氣相傳輸法(CVT)ZnO單晶生長過程具有足夠高的組分過飽和蒸氣壓,因而具有很彊的生長驅動力.控製單晶的成覈和生長模式成為穫得大呎吋ZnO單晶的關鍵.對不同條件下CVT法ZnO單晶生長的實驗現象、晶體錶麵形貌和晶體質量進行瞭研究分析,給齣瞭晶體生長模式與生長溫度、化學配比等條件的關繫.併在此基礎上實現瞭ZnO單晶的二維成覈生長模式的控製,穫得厚度均勻、單一晶嚮的高質量大呎吋ZnO單晶.
차조전수제적작용,화학기상전수법(CVT)ZnO단정생장과정구유족구고적조분과포화증기압,인이구유흔강적생장구동력.공제단정적성핵화생장모식성위획득대척촌ZnO단정적관건.대불동조건하CVT법ZnO단정생장적실험현상、정체표면형모화정체질량진행료연구분석,급출료정체생장모식여생장온도、화학배비등조건적관계.병재차기출상실현료ZnO단정적이유성핵생장모식적공제,획득후도균균、단일정향적고질량대척촌ZnO단정.
