电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2009年
2期
35-37
,共3页
巨磁阻抗效应%CoFeSiB非晶带%激励电流的频率和幅值
巨磁阻抗效應%CoFeSiB非晶帶%激勵電流的頻率和幅值
거자조항효응%CoFeSiB비정대%격려전류적빈솔화폭치
利用脉冲电流对Co基非晶带进行退火处理,研究了激励电流频率和幅值对非晶带巨磁阻抗(GMI)效应的影响.结果表明:该非晶带的特征频率为1.4 MHz,磁场灵敏度Q在约1 MHz下达到最大值1.46%/(A·m-1).激励电流幅值增加,可以提高GMI变化率的最大值(ZGMI)max,磁场灵敏度却在激励电流幅值为7 mA左右时达到最大值2.13%/(A·m-1).
利用脈遲電流對Co基非晶帶進行退火處理,研究瞭激勵電流頻率和幅值對非晶帶巨磁阻抗(GMI)效應的影響.結果錶明:該非晶帶的特徵頻率為1.4 MHz,磁場靈敏度Q在約1 MHz下達到最大值1.46%/(A·m-1).激勵電流幅值增加,可以提高GMI變化率的最大值(ZGMI)max,磁場靈敏度卻在激勵電流幅值為7 mA左右時達到最大值2.13%/(A·m-1).
이용맥충전류대Co기비정대진행퇴화처리,연구료격려전류빈솔화폭치대비정대거자조항(GMI)효응적영향.결과표명:해비정대적특정빈솔위1.4 MHz,자장령민도Q재약1 MHz하체도최대치1.46%/(A·m-1).격려전류폭치증가,가이제고GMI변화솔적최대치(ZGMI)max,자장령민도각재격려전류폭치위7 mA좌우시체도최대치2.13%/(A·m-1).
