半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
3期
292-296
,共5页
刘晓为%霍明学%陈伟平%王东红%张颖
劉曉為%霍明學%陳偉平%王東紅%張穎
류효위%곽명학%진위평%왕동홍%장영
应力退耦模型%压阻系数%多晶硅
應力退耦模型%壓阻繫數%多晶硅
응력퇴우모형%압조계수%다정규
利用应力退耦模型,分别对多晶硅薄膜晶粒中性区和晶界势垒区的压阻系数进行了理论分析,并推导出多晶硅压阻系数的表达式.实验结果表明,利用文中推导出的理论公式所获得的计算值与实验测量结果基本符合,所给出的有关多晶硅压阻系数的理论结果可以作为多晶硅特性分析的理论依据.
利用應力退耦模型,分彆對多晶硅薄膜晶粒中性區和晶界勢壘區的壓阻繫數進行瞭理論分析,併推導齣多晶硅壓阻繫數的錶達式.實驗結果錶明,利用文中推導齣的理論公式所穫得的計算值與實驗測量結果基本符閤,所給齣的有關多晶硅壓阻繫數的理論結果可以作為多晶硅特性分析的理論依據.
이용응력퇴우모형,분별대다정규박막정립중성구화정계세루구적압조계수진행료이론분석,병추도출다정규압조계수적표체식.실험결과표명,이용문중추도출적이론공식소획득적계산치여실험측량결과기본부합,소급출적유관다정규압조계수적이론결과가이작위다정규특성분석적이론의거.
