电子学报
電子學報
전자학보
ACTA ELECTRONICA SINICA
2005年
8期
1512-1515
,共4页
王平%杨燕%杨银堂%屈汉章%崔占东%付俊兴
王平%楊燕%楊銀堂%屈漢章%崔佔東%付俊興
왕평%양연%양은당%굴한장%최점동%부준흥
4H-SiC%蒙特卡罗研究%中性杂质散射%饱和漂移速度
4H-SiC%矇特卡囉研究%中性雜質散射%飽和漂移速度
4H-SiC%몽특잡라연구%중성잡질산사%포화표이속도
在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型对掺氮4H-SiC电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(Ensemble Monte Carlo)研究.研究表明,低场下,掺杂浓度较低时,氮杂质不完全电离导致的中性杂质散射对4H-SiC横向电子迁移率影响较小.随着掺杂浓度的增加,中性杂质散射作用增强.掺杂浓度较高时,随着温度的增加,中性杂质散射的影响逐步减弱.4H-SiC电子迁移率较高且各向异性较小,温度为296K时得到的横向电子饱和漂移速度为2.18×107cm/s;阶跃电场强度为1000KV/cm时,横向瞬态速度峰值接近3.3×107cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级.模拟结果同已有的测试结果较为一致.
在最新能帶結構計算的基礎之上,採用非拋物性能帶模型對摻氮4H-SiC電子輸運特性進行瞭多粒子矇特卡囉(Ensemble Monte Carlo)研究.研究錶明,低場下,摻雜濃度較低時,氮雜質不完全電離導緻的中性雜質散射對4H-SiC橫嚮電子遷移率影響較小.隨著摻雜濃度的增加,中性雜質散射作用增彊.摻雜濃度較高時,隨著溫度的增加,中性雜質散射的影響逐步減弱.4H-SiC電子遷移率較高且各嚮異性較小,溫度為296K時得到的橫嚮電子飽和漂移速度為2.18×107cm/s;階躍電場彊度為1000KV/cm時,橫嚮瞬態速度峰值接近3.3×107cm/s,反應時間僅為百分之幾皮秒量級.模擬結果同已有的測試結果較為一緻.
재최신능대결구계산적기출지상,채용비포물성능대모형대참담4H-SiC전자수운특성진행료다입자몽특잡라(Ensemble Monte Carlo)연구.연구표명,저장하,참잡농도교저시,담잡질불완전전리도치적중성잡질산사대4H-SiC횡향전자천이솔영향교소.수착참잡농도적증가,중성잡질산사작용증강.참잡농도교고시,수착온도적증가,중성잡질산사적영향축보감약.4H-SiC전자천이솔교고차각향이성교소,온도위296K시득도적횡향전자포화표이속도위2.18×107cm/s;계약전장강도위1000KV/cm시,횡향순태속도봉치접근3.3×107cm/s,반응시간부위백분지궤피초량급.모의결과동이유적측시결과교위일치.
