半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
10期
855-858
,共4页
庄四祥%冯士维%王承栋%白云霞%苏蓉%孟海杰
莊四祥%馮士維%王承棟%白雲霞%囌蓉%孟海傑
장사상%풍사유%왕승동%백운하%소용%맹해걸
探测器%光响应度%InGaAs/InP%结深
探測器%光響應度%InGaAs/InP%結深
탐측기%광향응도%InGaAs/InP%결심
研究了InGaAs/InP PIN探测器中扩散结深对光响应度的影响,对不同扩散条件下的光电探测器进行了对比实验,测量了不同结深下器件的Ⅰ-Ⅴ特性和光响应度.结果表明:扩散结深对器件的Ⅰ-Ⅴ特性影响不大,而对光响应度影响很大,当结深处在InGaAs吸收层上表面时,光响应度最大值出现在波长1.55um处;而当结深进入衬底InP层后,光响应度最大值则出现在波长1um处.另外,在闭管扩散实验中,严格控制温度和扩散时间是控制结深的关键,研究了不同扩散温度和扩散时间下的结深,为器件的制备提供了参考.
研究瞭InGaAs/InP PIN探測器中擴散結深對光響應度的影響,對不同擴散條件下的光電探測器進行瞭對比實驗,測量瞭不同結深下器件的Ⅰ-Ⅴ特性和光響應度.結果錶明:擴散結深對器件的Ⅰ-Ⅴ特性影響不大,而對光響應度影響很大,噹結深處在InGaAs吸收層上錶麵時,光響應度最大值齣現在波長1.55um處;而噹結深進入襯底InP層後,光響應度最大值則齣現在波長1um處.另外,在閉管擴散實驗中,嚴格控製溫度和擴散時間是控製結深的關鍵,研究瞭不同擴散溫度和擴散時間下的結深,為器件的製備提供瞭參攷.
연구료InGaAs/InP PIN탐측기중확산결심대광향응도적영향,대불동확산조건하적광전탐측기진행료대비실험,측량료불동결심하기건적Ⅰ-Ⅴ특성화광향응도.결과표명:확산결심대기건적Ⅰ-Ⅴ특성영향불대,이대광향응도영향흔대,당결심처재InGaAs흡수층상표면시,광향응도최대치출현재파장1.55um처;이당결심진입츤저InP층후,광향응도최대치칙출현재파장1um처.령외,재폐관확산실험중,엄격공제온도화확산시간시공제결심적관건,연구료불동확산온도화확산시간하적결심,위기건적제비제공료삼고.
