半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
2期
101-103
,共3页
陈亮%张万荣%金冬月%肖盈%王任卿%尤云霞
陳亮%張萬榮%金鼕月%肖盈%王任卿%尤雲霞
진량%장만영%금동월%초영%왕임경%우운하
异质结双极晶体管%环境温度%热电反馈模型%结温%耗散功率
異質結雙極晶體管%環境溫度%熱電反饋模型%結溫%耗散功率
이질결쌍겁정체관%배경온도%열전반궤모형%결온%모산공솔
提出了发射极非均匀指间距技术以增强多发射极指SiGe HBT在不同环境温度下的热稳定性.通过建立热电反馈模型对采用发射极非均匀指间距技术的SiGe HBT进行热稳定性分析,得到多发射极指上的温度分布.结果表明,与传统的均匀发射极指间距SiGe HBT相比, 在相同的环境温度及耗散功率下,采用发射极非均匀指间距技术的SiGe HBT,其最高结温明显降低,热阻显著减小,温度分布更加均匀, 有效地提高了多发射极指功率SiGe HBT在不同环境温度下的热稳定性.
提齣瞭髮射極非均勻指間距技術以增彊多髮射極指SiGe HBT在不同環境溫度下的熱穩定性.通過建立熱電反饋模型對採用髮射極非均勻指間距技術的SiGe HBT進行熱穩定性分析,得到多髮射極指上的溫度分佈.結果錶明,與傳統的均勻髮射極指間距SiGe HBT相比, 在相同的環境溫度及耗散功率下,採用髮射極非均勻指間距技術的SiGe HBT,其最高結溫明顯降低,熱阻顯著減小,溫度分佈更加均勻, 有效地提高瞭多髮射極指功率SiGe HBT在不同環境溫度下的熱穩定性.
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