国防科技大学学报
國防科技大學學報
국방과기대학학보
JOURNAL OF NATIONAL UNIVERSITY OF DEFENSE TECHNOLOGY
2011年
3期
89-94
,共6页
马卓%段志奎%杨方杰%郭阳%谢伦国
馬卓%段誌奎%楊方傑%郭暘%謝倫國
마탁%단지규%양방걸%곽양%사륜국
带隙基准电压源%集电极电流%温度稳定性%电源抑制比%低电源电压
帶隙基準電壓源%集電極電流%溫度穩定性%電源抑製比%低電源電壓
대극기준전압원%집전겁전류%온도은정성%전원억제비%저전원전압
带隙基准电压源是各类模拟/数模混合集成电路中的基础性部件,其性能直接决定了整体电路的稳定性.CMOS工艺中的衬底三极管的放大倍数β较小,“发射极-基极”通路对三极管的集电极电流的分流作用十分显著,导致带隙基准温度稳定性下降.此外,低电压条件下的电路缺乏足够的电压裕度,电源噪声的影响已经不可忽略,基准源的抗电源噪声能力亟待加强.针对上述两个问题,分别提出了自适应的“发射极-基极”电流补偿技术和使用电容直接耦合电源噪声负反馈的方案.基于0.18μm CMOS工艺的实现结果表明,在- 55℃～150℃范围内,电源电压1.8V情况下,输出基准电压的温度系数可达8.2ppm/℃,且中/高频段的电源抑制比得到大幅度提高,直流段电源抑制比更可达-90dB.
帶隙基準電壓源是各類模擬/數模混閤集成電路中的基礎性部件,其性能直接決定瞭整體電路的穩定性.CMOS工藝中的襯底三極管的放大倍數β較小,“髮射極-基極”通路對三極管的集電極電流的分流作用十分顯著,導緻帶隙基準溫度穩定性下降.此外,低電壓條件下的電路缺乏足夠的電壓裕度,電源譟聲的影響已經不可忽略,基準源的抗電源譟聲能力亟待加彊.針對上述兩箇問題,分彆提齣瞭自適應的“髮射極-基極”電流補償技術和使用電容直接耦閤電源譟聲負反饋的方案.基于0.18μm CMOS工藝的實現結果錶明,在- 55℃～150℃範圍內,電源電壓1.8V情況下,輸齣基準電壓的溫度繫數可達8.2ppm/℃,且中/高頻段的電源抑製比得到大幅度提高,直流段電源抑製比更可達-90dB.
대극기준전압원시각류모의/수모혼합집성전로중적기출성부건,기성능직접결정료정체전로적은정성.CMOS공예중적츤저삼겁관적방대배수β교소,“발사겁-기겁”통로대삼겁관적집전겁전류적분류작용십분현저,도치대극기준온도은정성하강.차외,저전압조건하적전로결핍족구적전압유도,전원조성적영향이경불가홀략,기준원적항전원조성능력극대가강.침대상술량개문제,분별제출료자괄응적“발사겁-기겁”전류보상기술화사용전용직접우합전원조성부반궤적방안.기우0.18μm CMOS공예적실현결과표명,재- 55℃～150℃범위내,전원전압1.8V정황하,수출기준전압적온도계수가체8.2ppm/℃,차중/고빈단적전원억제비득도대폭도제고,직류단전원억제비경가체-90dB.
