单晶硅掺杂类型对化学镀Ni -P膜的影响
단정규참잡류형대화학도Ni -P막적영향
Influence of dopant type in single crystal Si on the electroless plated Ni - P films
  • 万方数据
    功能材料与器件学报 공능재료여기건학보
    JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
    2011年 6期 564-568 ,共5页

    麻华丽%张新月%杜银霄%陈雷明%茹意%张锐%曾凡光%刘波%刘凯%梁浩

    마화려%장신월%두은소%진뢰명%여의%장예%증범광%류파%류개%량호

    化学镀%N型Si%P型Si%Ni -P膜 化學鍍%N型Si%P型Si%Ni -P膜
    화학도%N형Si%P형Si%Ni -P막
    本文采用化学镀的方法分别在P型、N型Si(100)表面制备了Ni -P膜,通过扫描电镜(SEM)及电子能谱仪(EDS)分析考察了同种制备条件下,在不同基底上镀膜的表面形貌和不同基底对镀层组分的影响；并用原子力显微镜(AFM)对不同基底上镀膜的平整度进行了研究.结果发现两种基底上的镀膜形貌、元素含量及镀膜平整度明显不同,以P型Si(100)作为基底时,膜层颗粒度及平整度较好.
    본문채용화학도적방법분별재P형、N형Si(100)표면제비료Ni -P막,통과소묘전경(SEM)급전자능보의(EDS)분석고찰료동충제비조건하,재불동기저상도막적표면형모화불동기저대도층조분적영향；병용원자력현미경(AFM)대불동기저상도막적평정도진행료연구.결과발현량충기저상적도막형모、원소함량급도막평정도명현불동,이P형Si(100)작위기저시,막층과립도급평정도교호.
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