半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
3期
284-287
,共4页
余学功%张媛%马向阳%杨德仁
餘學功%張媛%馬嚮暘%楊德仁
여학공%장원%마향양%양덕인
直拉硅%重掺锑%氧沉淀
直拉硅%重摻銻%氧沉澱
직랍규%중참제%양침정
通过在不同条件下退火,研究氮杂质对重掺锑硅(HSb-Si)中氧沉淀的影响.实验结果表明,在高温单步退火(1000～1150℃)和低高两步退火(650℃+1050℃)后,掺氮HSb-Si中与氧沉淀相关的体微缺陷的密度都要远远高于一般的HSb-Si.这说明在HSb-Si中,氮能分别在高温和低温下促进氧沉淀的生成.因此,可以认为与轻掺直拉硅一样,在HSb-Si中,氮氧复合体同样能够生成,因而促进了氧沉淀的形核.实验结果还表明氮的掺入不影响HSb硅中氧沉淀的延迟行为.
通過在不同條件下退火,研究氮雜質對重摻銻硅(HSb-Si)中氧沉澱的影響.實驗結果錶明,在高溫單步退火(1000～1150℃)和低高兩步退火(650℃+1050℃)後,摻氮HSb-Si中與氧沉澱相關的體微缺陷的密度都要遠遠高于一般的HSb-Si.這說明在HSb-Si中,氮能分彆在高溫和低溫下促進氧沉澱的生成.因此,可以認為與輕摻直拉硅一樣,在HSb-Si中,氮氧複閤體同樣能夠生成,因而促進瞭氧沉澱的形覈.實驗結果還錶明氮的摻入不影響HSb硅中氧沉澱的延遲行為.
통과재불동조건하퇴화,연구담잡질대중참제규(HSb-Si)중양침정적영향.실험결과표명,재고온단보퇴화(1000～1150℃)화저고량보퇴화(650℃+1050℃)후,참담HSb-Si중여양침정상관적체미결함적밀도도요원원고우일반적HSb-Si.저설명재HSb-Si중,담능분별재고온화저온하촉진양침정적생성.인차,가이인위여경참직랍규일양,재HSb-Si중,담양복합체동양능구생성,인이촉진료양침정적형핵.실험결과환표명담적참입불영향HSb규중양침정적연지행위.
