CAJ | 학술논문

在重掺杂的Si衬底上分别制备了底电极(Bottom-contact organic thin-film transistors,BCOTFTs)和顶电极(Top-contact organic thin-film transistors,TC-OTFTs)有机薄膜场效应晶体管,探讨了源、漏电极位置对器件性能的影响.结果表明,顶电极可以形成良好的欧姆接触,其器件的迁移率和开关电流比均高出BC-OTFTs器件三个数量级.研究了栅绝缘层的薄膜厚度对器件的电性能的影响.结果表明,在相同电压下,薄的绝缘层增大了沟道区域的电场,可积累更多的电荷,以填充更多的陷阱,使器件的场效应迁移率和工作电流得到了明显的提高.
재중참잡적Si츤저상분별제비료저전겁(Bottom-contact organic thin-film transistors,BCOTFTs)화정전겁(Top-contact organic thin-film transistors,TC-OTFTs)유궤박막장효응정체관,탐토료원、루전겁위치대기건성능적영향.결과표명,정전겁가이형성량호적구모접촉,기기건적천이솔화개관전류비균고출BC-OTFTs기건삼개수량급.연구료책절연층적박막후도대기건적전성능적영향.결과표명,재상동전압하,박적절연층증대료구도구역적전장,가적루경다적전하,이전충경다적함정,사기건적장효응천이솔화공작전류득도료명현적제고.