半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
6期
514-516,519
,共4页
柳现发%王德宏%王绍东%吴洪江%张务永
柳現髮%王德宏%王紹東%吳洪江%張務永
류현발%왕덕굉%왕소동%오홍강%장무영
宽频带%低噪声放大器%负反馈%微波单片集成电路
寬頻帶%低譟聲放大器%負反饋%微波單片集成電路
관빈대%저조성방대기%부반궤%미파단편집성전로
利用负反馈放大器设计原理,采用GaAs PHEMT工艺技术,设计制作了一种微波宽带GaAs PHEMT低噪声放大器芯片,并给出了详细测试曲线.该放大器由两级组成,采用负反馈结构,工作频率0.8～8.5 GHz,整个带内功率增益19 dB,噪声系数1.55 dB,增益平坦度小于±0.7 dB,输入驻波比1.6,输出驻波比1.8,1 dB压缩点输出功率大于10 dBm,芯片内部集成偏置电路,单电源+5 V供电,芯片具有良好的温度特性.该芯片面积为2.5 mm × 1.2 mm.
利用負反饋放大器設計原理,採用GaAs PHEMT工藝技術,設計製作瞭一種微波寬帶GaAs PHEMT低譟聲放大器芯片,併給齣瞭詳細測試麯線.該放大器由兩級組成,採用負反饋結構,工作頻率0.8～8.5 GHz,整箇帶內功率增益19 dB,譟聲繫數1.55 dB,增益平坦度小于±0.7 dB,輸入駐波比1.6,輸齣駐波比1.8,1 dB壓縮點輸齣功率大于10 dBm,芯片內部集成偏置電路,單電源+5 V供電,芯片具有良好的溫度特性.該芯片麵積為2.5 mm × 1.2 mm.
이용부반궤방대기설계원리,채용GaAs PHEMT공예기술,설계제작료일충미파관대GaAs PHEMT저조성방대기심편,병급출료상세측시곡선.해방대기유량급조성,채용부반궤결구,공작빈솔0.8～8.5 GHz,정개대내공솔증익19 dB,조성계수1.55 dB,증익평탄도소우±0.7 dB,수입주파비1.6,수출주파비1.8,1 dB압축점수출공솔대우10 dBm,심편내부집성편치전로,단전원+5 V공전,심편구유량호적온도특성.해심편면적위2.5 mm × 1.2 mm.
