光学精密工程
光學精密工程
광학정밀공정
OPTICS AND PRECISION ENGINEERING
2009年
8期
1922-1927
,共6页
微机电系统%RF MEMS开关%并联接触
微機電繫統%RF MEMS開關%併聯接觸
미궤전계통%RF MEMS개관%병련접촉
对适用于DC～30 GHz频率的并联接触式RF MEMS开关的设计与制造进行了研究.利用低应力电镀Au桥膜作为上电极,实现了接触电极之间的Au-Au接触.使用BorofloatTM玻璃作为衬底,并用隔离电阻对内置射频信号与驱动电极旁路进行隔离;通过对上电极桥膜与CPW间距的优化设计,使开关具有较低的插入损耗.所设计制造的并联接触式RF MEMS开关的下拉电压为60 V,上下电极的接触电阻为0.1 Ω.插入损耗为-0.03 dB@1GH,-0.13 dB@10 GHz和-0.19 dB@20GHz,在DC～30 GHz的插入损耗都＜-0.5 dB;隔离度为-47 dB@1 GHz,-30 dB@10 GHz和-25 dB@20 GHz,在DC～30 GHz的隔高度都＞-23 dB.测试结果表明,所设计的并联接触式RF MEMS开关适用频率为DC～30 GHz,是一种应用频率范围较宽的RF MEMS开关.
對適用于DC～30 GHz頻率的併聯接觸式RF MEMS開關的設計與製造進行瞭研究.利用低應力電鍍Au橋膜作為上電極,實現瞭接觸電極之間的Au-Au接觸.使用BorofloatTM玻璃作為襯底,併用隔離電阻對內置射頻信號與驅動電極徬路進行隔離;通過對上電極橋膜與CPW間距的優化設計,使開關具有較低的插入損耗.所設計製造的併聯接觸式RF MEMS開關的下拉電壓為60 V,上下電極的接觸電阻為0.1 Ω.插入損耗為-0.03 dB@1GH,-0.13 dB@10 GHz和-0.19 dB@20GHz,在DC～30 GHz的插入損耗都＜-0.5 dB;隔離度為-47 dB@1 GHz,-30 dB@10 GHz和-25 dB@20 GHz,在DC～30 GHz的隔高度都＞-23 dB.測試結果錶明,所設計的併聯接觸式RF MEMS開關適用頻率為DC～30 GHz,是一種應用頻率範圍較寬的RF MEMS開關.
대괄용우DC～30 GHz빈솔적병련접촉식RF MEMS개관적설계여제조진행료연구.이용저응력전도Au교막작위상전겁,실현료접촉전겁지간적Au-Au접촉.사용BorofloatTM파리작위츤저,병용격리전조대내치사빈신호여구동전겁방로진행격리;통과대상전겁교막여CPW간거적우화설계,사개관구유교저적삽입손모.소설계제조적병련접촉식RF MEMS개관적하랍전압위60 V,상하전겁적접촉전조위0.1 Ω.삽입손모위-0.03 dB@1GH,-0.13 dB@10 GHz화-0.19 dB@20GHz,재DC～30 GHz적삽입손모도＜-0.5 dB;격리도위-47 dB@1 GHz,-30 dB@10 GHz화-25 dB@20 GHz,재DC～30 GHz적격고도도＞-23 dB.측시결과표명,소설계적병련접촉식RF MEMS개관괄용빈솔위DC～30 GHz,시일충응용빈솔범위교관적RF MEMS개관.
