氧化硅薄膜的制备和性质研究
양화규박막적제비화성질연구
Fabrication and Characterization of Silicon Oxide Thin Films
  • 万方数据
    微电子学 미전자학
    MICROELECTRONICS
    2010年 3期 454-456 ,共3页

    王新%向嵘%李野%王国政%姜德龙%端木庆铎%田景全

    왕신%향영%리야%왕국정%강덕룡%단목경탁%전경전

    磁控溅射%氧化硅%生长速率%介电常数%原子比例 磁控濺射%氧化硅%生長速率%介電常數%原子比例
    자공천사%양화규%생장속솔%개전상수%원자비례
    在室温条件下,采用反应磁控溅射方法,在硅衬底上制备氧化硅薄膜.研究了制备过程中不同氧气含量时氧化硅薄膜的生长速率、薄膜中的O/Si原子比例、表面粗糙度、薄膜的介电性能.发现薄膜的生长速率和介电常数随溅射时氧气含量的增加先增大后减小;薄膜中的O/Si原子比例随氧气含量的增加先增大,后来变化不明显,且很难达到或超过理想比例(2∶1);薄膜的粗糙度随氧气含量的增加先减小,后来基本保持不变.
    재실온조건하,채용반응자공천사방법,재규츤저상제비양화규박막.연구료제비과정중불동양기함량시양화규박막적생장속솔、박막중적O/Si원자비례、표면조조도、박막적개전성능.발현박막적생장속솔화개전상수수천사시양기함량적증가선증대후감소;박막중적O/Si원자비례수양기함량적증가선증대,후래변화불명현,차흔난체도혹초과이상비례(2∶1);박막적조조도수양기함량적증가선감소,후래기본보지불변.
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