强激光与粒子束
彊激光與粒子束
강격광여입자속
HIGH POWER LASER AND PARTICLEBEAMS
2011年
10期
2763-2766
,共4页
王靳君%田野%石瑞英%龚敏%温景超%巫晓燕
王靳君%田野%石瑞英%龔敏%溫景超%巫曉燕
왕근군%전야%석서영%공민%온경초%무효연
NPN晶体管%负电容%中子辐照%电子辐照%扩散电容%势垒电容
NPN晶體管%負電容%中子輻照%電子輻照%擴散電容%勢壘電容
NPN정체관%부전용%중자복조%전자복조%확산전용%세루전용
研究了硅NPN双极型晶体管(C2060)的中子和电子辐照效应.实验结果显示:经中子和电子辐照后,晶体管扩散电容出现退化,甚至出现负电容(NC)现象；电子辐照后晶体管势垒电容出现明显退化,而中子辐照后并无此现象.对中子和电子辐照后晶体管的退化机理进行了分析,认为:晶体管经中子和电子辐照后产生的缺陷团是产生NC现象的根本原因；中子和电子辐照后产生的缺陷团在晶体管内表现为复合中心,这些复合中心大大降低了少数载流子的数密度和寿命,从而使晶体管扩散电容出现严重退化,甚至出现NC现象；电子辐照产生的点缺陷使晶体管多子数密度降低,从而使势垒电容增大.
研究瞭硅NPN雙極型晶體管(C2060)的中子和電子輻照效應.實驗結果顯示:經中子和電子輻照後,晶體管擴散電容齣現退化,甚至齣現負電容(NC)現象；電子輻照後晶體管勢壘電容齣現明顯退化,而中子輻照後併無此現象.對中子和電子輻照後晶體管的退化機理進行瞭分析,認為:晶體管經中子和電子輻照後產生的缺陷糰是產生NC現象的根本原因；中子和電子輻照後產生的缺陷糰在晶體管內錶現為複閤中心,這些複閤中心大大降低瞭少數載流子的數密度和壽命,從而使晶體管擴散電容齣現嚴重退化,甚至齣現NC現象；電子輻照產生的點缺陷使晶體管多子數密度降低,從而使勢壘電容增大.
연구료규NPN쌍겁형정체관(C2060)적중자화전자복조효응.실험결과현시:경중자화전자복조후,정체관확산전용출현퇴화,심지출현부전용(NC)현상；전자복조후정체관세루전용출현명현퇴화,이중자복조후병무차현상.대중자화전자복조후정체관적퇴화궤리진행료분석,인위:정체관경중자화전자복조후산생적결함단시산생NC현상적근본원인；중자화전자복조후산생적결함단재정체관내표현위복합중심,저사복합중심대대강저료소수재류자적수밀도화수명,종이사정체관확산전용출현엄중퇴화,심지출현NC현상；전자복조산생적점결함사정체관다자수밀도강저,종이사세루전용증대.
