功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2008年
1期
54-56
,共3页
李保理%庄惠照%薛成山%张士英
李保理%莊惠照%薛成山%張士英
리보리%장혜조%설성산%장사영
GaN纳米线%磁控溅射%氨化
GaN納米線%磁控濺射%氨化
GaN납미선%자공천사%안화
采用射频磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/ Nb薄膜,然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化制备GaN纳米线.用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)详细分析了GaN纳米线的结构和形貌.结果表明:采用此方法得到的GaN纳米线为六方纤锌矿结构,其纳米线的直径大约在50～100nm之间,纳米线的长约几个微米.室温下以325nm波长的光激发样品表面,只显示出一个位于364.4nm的很强的紫外发光峰.最后,简单讨论了GaN纳米线的生长机制.
採用射頻磁控濺射技術先在硅襯底上製備Ga2O3/ Nb薄膜,然後在900℃時于流動的氨氣中進行氨化製備GaN納米線.用X射線衍射(XRD)、傅立葉紅外吸收光譜(FTIR)、掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)詳細分析瞭GaN納米線的結構和形貌.結果錶明:採用此方法得到的GaN納米線為六方纖鋅礦結構,其納米線的直徑大約在50～100nm之間,納米線的長約幾箇微米.室溫下以325nm波長的光激髮樣品錶麵,隻顯示齣一箇位于364.4nm的很彊的紫外髮光峰.最後,簡單討論瞭GaN納米線的生長機製.
채용사빈자공천사기술선재규츤저상제비Ga2O3/ Nb박막,연후재900℃시우류동적안기중진행안화제비GaN납미선.용X사선연사(XRD)、부립협홍외흡수광보(FTIR)、소묘전자현미경(SEM)、투사전자현미경(TEM)상세분석료GaN납미선적결구화형모.결과표명:채용차방법득도적GaN납미선위륙방섬자광결구,기납미선적직경대약재50～100nm지간,납미선적장약궤개미미.실온하이325nm파장적광격발양품표면,지현시출일개위우364.4nm적흔강적자외발광봉.최후,간단토론료GaN납미선적생장궤제.
