半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
8期
658-661,673
,共5页
李咸珍%刘玉岭%宗思邈%张伟%江焱
李鹹珍%劉玉嶺%宗思邈%張偉%江焱
리함진%류옥령%종사막%장위%강염
化学机械抛光%微晶玻璃%氧化铈
化學機械拋光%微晶玻璃%氧化鈰
화학궤계포광%미정파리%양화시
介绍了微晶玻璃及其化学机械抛光工艺,对其抛光机理进行了理论分析,重点对影响抛光速率和抛光质量的工艺参数转速、压力、流速作了详细的研究讨论,定量确定了最佳CMP工艺参数.在抛光液中加入了FA/O Ⅰ型活性剂以保护SiO2胶粒的双电子层结构.通过实验比较了在SiO2磨料碱性抛光液中加入CeO2对抛光速率的影响,得出了适合微晶玻璃晶片抛光的外界条件.在常温条件下工艺参数为转速60r/min、压力0.22 MPa和流速210 mL/min时,能够取得较高的抛光速率和较好的表面质量.
介紹瞭微晶玻璃及其化學機械拋光工藝,對其拋光機理進行瞭理論分析,重點對影響拋光速率和拋光質量的工藝參數轉速、壓力、流速作瞭詳細的研究討論,定量確定瞭最佳CMP工藝參數.在拋光液中加入瞭FA/O Ⅰ型活性劑以保護SiO2膠粒的雙電子層結構.通過實驗比較瞭在SiO2磨料堿性拋光液中加入CeO2對拋光速率的影響,得齣瞭適閤微晶玻璃晶片拋光的外界條件.在常溫條件下工藝參數為轉速60r/min、壓力0.22 MPa和流速210 mL/min時,能夠取得較高的拋光速率和較好的錶麵質量.
개소료미정파리급기화학궤계포광공예,대기포광궤리진행료이론분석,중점대영향포광속솔화포광질량적공예삼수전속、압력、류속작료상세적연구토론,정량학정료최가CMP공예삼수.재포광액중가입료FA/O Ⅰ형활성제이보호SiO2효립적쌍전자층결구.통과실험비교료재SiO2마료감성포광액중가입CeO2대포광속솔적영향,득출료괄합미정파리정편포광적외계조건.재상온조건하공예삼수위전속60r/min、압력0.22 MPa화류속210 mL/min시,능구취득교고적포광속솔화교호적표면질량.
