机械研究与应用
機械研究與應用
궤계연구여응용
MECHANICAL RESEARCH & APPLICATION
2008年
6期
10-13
,共4页
化学机械抛光%CMP耗材%平坦化
化學機械拋光%CMP耗材%平坦化
화학궤계포광%CMP모재%평탄화
化学机械抛光简称CMP技术是迄今唯一的可以提供整体平面化的表面精加工技术,可广泛用于集成电路芯片、计算机硬磁盘、微型机械系统等表面的平坦化.介绍了半导体加工领域CMP技术的特点,重点叙述了CMP技术的发展历程、设备特性、研磨抛光耗材和应用领域的技术现状,指出CMP急待解决的技术和理论问题,并对其发展方向进行展望.
化學機械拋光簡稱CMP技術是迄今唯一的可以提供整體平麵化的錶麵精加工技術,可廣汎用于集成電路芯片、計算機硬磁盤、微型機械繫統等錶麵的平坦化.介紹瞭半導體加工領域CMP技術的特點,重點敘述瞭CMP技術的髮展歷程、設備特性、研磨拋光耗材和應用領域的技術現狀,指齣CMP急待解決的技術和理論問題,併對其髮展方嚮進行展望.
화학궤계포광간칭CMP기술시흘금유일적가이제공정체평면화적표면정가공기술,가엄범용우집성전로심편、계산궤경자반、미형궤계계통등표면적평탄화.개소료반도체가공영역CMP기술적특점,중점서술료CMP기술적발전역정、설비특성、연마포광모재화응용영역적기술현상,지출CMP급대해결적기술화이론문제,병대기발전방향진행전망.
