基于有限元法对发射极指分段结构的多指SiGe HBT的研究
기우유한원법대발사겁지분단결구적다지SiGe HBT적연구
Research on Multi-Finger SiGe HBT with Emitter Segmented Structure Based on Finite Element Method
  • 万方数据
    电子器件 전자기건
    JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
    2010年 6期 680-683 ,共4页

    王任卿%张万荣%金冬月%陈亮%丁春宝%肖盈%孙博韬%赵昕

    왕임경%장만영%금동월%진량%정춘보%초영%손박도%조흔

    SiGe HBT%热模拟%分段结构%自热效应 SiGe HBT%熱模擬%分段結構%自熱效應
    SiGe HBT%열모의%분단결구%자열효응
    针对传统多指SiGe HBT发射极指中心区域和器件中心区域温度较高导致热不稳定问题,提出了新型发射极指分段结构来抑制功率SiGe HBT中心区域的自热效应,提高器件温度分布均匀性.利用有限元软件ANSYS对器件进行建模和三维热模拟,研究器件温度分布的改善情况.结果表明,与传统不分段结构的器件相比,新型分段结构的多指SiGe HBT的指上的温度分布更加均匀、不同指上的温差和集电结结温明显降低,自热效应得到有效抑制,器件的热稳定性得到增强.
    침대전통다지SiGe HBT발사겁지중심구역화기건중심구역온도교고도치열불은정문제,제출료신형발사겁지분단결구래억제공솔SiGe HBT중심구역적자열효응,제고기건온도분포균균성.이용유한원연건ANSYS대기건진행건모화삼유열모의,연구기건온도분포적개선정황.결과표명,여전통불분단결구적기건상비,신형분단결구적다지SiGe HBT적지상적온도분포경가균균、불동지상적온차화집전결결온명현강저,자열효응득도유효억제,기건적열은정성득도증강.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문