人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2011年
6期
1580-1586
,共7页
CdS薄膜%化学浴沉积%折射率%消光系数%光学带隙
CdS薄膜%化學浴沉積%摺射率%消光繫數%光學帶隙
CdS박막%화학욕침적%절사솔%소광계수%광학대극
采用化学浴沉积法,以CdCl2·H2O、CS(NH2)2、NH4Cl、NH3·H2O和去离子水作为反应前驱物,在不同的氨水浓度下制备CdS纳米晶颗粒薄膜.通过扫描电镜、X射线衍射、X射线能量色散谱、紫外-可见光透射光谱、椭圆偏振光谱等方法,研究了反应前驱物中氨水浓度对CdS纳米晶颗粒薄膜的表面形貌、晶体结构、S/Cd原子比、光透过率、光学带隙、折射率、消光系数和光学吸收边等物理性能的影响.结果表明:反应前驱物中氨水浓度在0.4～1.0mol/L范围内,可以在衬底上形成均匀致密的CdS纳米晶颗粒薄膜.随着氨水浓度的增加,CdS纳米晶的平均晶粒尺寸逐渐减少,S/Cd原子比逐渐增加,由富Cd型转变为富S型,禁带宽度逐渐增加.在500～1000 nm波段内,折射率的平均值为1.75；消光系数k小于0.07.
採用化學浴沉積法,以CdCl2·H2O、CS(NH2)2、NH4Cl、NH3·H2O和去離子水作為反應前驅物,在不同的氨水濃度下製備CdS納米晶顆粒薄膜.通過掃描電鏡、X射線衍射、X射線能量色散譜、紫外-可見光透射光譜、橢圓偏振光譜等方法,研究瞭反應前驅物中氨水濃度對CdS納米晶顆粒薄膜的錶麵形貌、晶體結構、S/Cd原子比、光透過率、光學帶隙、摺射率、消光繫數和光學吸收邊等物理性能的影響.結果錶明:反應前驅物中氨水濃度在0.4～1.0mol/L範圍內,可以在襯底上形成均勻緻密的CdS納米晶顆粒薄膜.隨著氨水濃度的增加,CdS納米晶的平均晶粒呎吋逐漸減少,S/Cd原子比逐漸增加,由富Cd型轉變為富S型,禁帶寬度逐漸增加.在500～1000 nm波段內,摺射率的平均值為1.75；消光繫數k小于0.07.
채용화학욕침적법,이CdCl2·H2O、CS(NH2)2、NH4Cl、NH3·H2O화거리자수작위반응전구물,재불동적안수농도하제비CdS납미정과립박막.통과소묘전경、X사선연사、X사선능량색산보、자외-가견광투사광보、타원편진광보등방법,연구료반응전구물중안수농도대CdS납미정과립박막적표면형모、정체결구、S/Cd원자비、광투과솔、광학대극、절사솔、소광계수화광학흡수변등물이성능적영향.결과표명:반응전구물중안수농도재0.4～1.0mol/L범위내,가이재츤저상형성균균치밀적CdS납미정과립박막.수착안수농도적증가,CdS납미정적평균정립척촌축점감소,S/Cd원자비축점증가,유부Cd형전변위부S형,금대관도축점증가.재500～1000 nm파단내,절사솔적평균치위1.75；소광계수k소우0.07.
