固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2012年
5期
440-445
,共6页
刘巍%唐吉玉%杨帆%林邦惜%杨述东%程健
劉巍%唐吉玉%楊帆%林邦惜%楊述東%程健
류외%당길옥%양범%림방석%양술동%정건
光子晶体%缺陷层%传输矩阵法%红外波段
光子晶體%缺陷層%傳輸矩陣法%紅外波段
광자정체%결함층%전수구진법%홍외파단
采用MgF2/CdTe作为一维光子晶体的结构,并引入了缺陷层ZnS,利用传输矩阵法,分别分析了电磁波在这两种结构中的带隙结构,并分析了各种参量对带隙的影响,研究了其规律.计算结果表明:MgF2/CdTe一维光子晶体结构在红外有良好的反射性质,缺陷ZnS的引入能够增加其带隙,并且能得到透射率很好的缺陷模,通过调节入射角和结构参量,能够控制缺陷模的位置,有望制成红外波段的滤波器.
採用MgF2/CdTe作為一維光子晶體的結構,併引入瞭缺陷層ZnS,利用傳輸矩陣法,分彆分析瞭電磁波在這兩種結構中的帶隙結構,併分析瞭各種參量對帶隙的影響,研究瞭其規律.計算結果錶明:MgF2/CdTe一維光子晶體結構在紅外有良好的反射性質,缺陷ZnS的引入能夠增加其帶隙,併且能得到透射率很好的缺陷模,通過調節入射角和結構參量,能夠控製缺陷模的位置,有望製成紅外波段的濾波器.
채용MgF2/CdTe작위일유광자정체적결구,병인입료결함층ZnS,이용전수구진법,분별분석료전자파재저량충결구중적대극결구,병분석료각충삼량대대극적영향,연구료기규률.계산결과표명:MgF2/CdTe일유광자정체결구재홍외유량호적반사성질,결함ZnS적인입능구증가기대극,병차능득도투사솔흔호적결함모,통과조절입사각화결구삼량,능구공제결함모적위치,유망제성홍외파단적려파기.
