原子能科学技术
原子能科學技術
원자능과학기술
ATOMIC ENERGY SCIENCE AND TECHNOLOGY
2012年
z1期
577-581
,共5页
孟丽娅%刘泽东%胡大江%王庆祥
孟麗婭%劉澤東%鬍大江%王慶祥
맹려아%류택동%호대강%왕경상
APS%移位寄存器%SEU加固%施密特触发器
APS%移位寄存器%SEU加固%施密特觸髮器
APS%이위기존기%SEU가고%시밀특촉발기
电离辐射环境中使用的CMOS有源像素图像传感器(APS)的基于反相器的准静态移位寄存器容易发生单粒子翻转(SEU),而致使CMOS APS不能正常工作.本文对基于反相器的准静态移位寄存器中的单粒子翻转效应进行了分析,其对单粒子瞬态(SET)最敏感的节点存在于反相器的输入端,反相器的输入阈值电压和输入节点电容决定了其抗SEU的能力.提出了用施密特触发器代替反相器的加固方案,因施密特触发器的电压传输特性存在一滞回区间,所以有更高的翻转阈值,从而可获得更好的抗SEU能力.仿真结果表明,采用施密特触发器的移位寄存器结构较原电路结构的抗SEU能力提高了约10倍.
電離輻射環境中使用的CMOS有源像素圖像傳感器(APS)的基于反相器的準靜態移位寄存器容易髮生單粒子翻轉(SEU),而緻使CMOS APS不能正常工作.本文對基于反相器的準靜態移位寄存器中的單粒子翻轉效應進行瞭分析,其對單粒子瞬態(SET)最敏感的節點存在于反相器的輸入耑,反相器的輸入閾值電壓和輸入節點電容決定瞭其抗SEU的能力.提齣瞭用施密特觸髮器代替反相器的加固方案,因施密特觸髮器的電壓傳輸特性存在一滯迴區間,所以有更高的翻轉閾值,從而可穫得更好的抗SEU能力.倣真結果錶明,採用施密特觸髮器的移位寄存器結構較原電路結構的抗SEU能力提高瞭約10倍.
전리복사배경중사용적CMOS유원상소도상전감기(APS)적기우반상기적준정태이위기존기용역발생단입자번전(SEU),이치사CMOS APS불능정상공작.본문대기우반상기적준정태이위기존기중적단입자번전효응진행료분석,기대단입자순태(SET)최민감적절점존재우반상기적수입단,반상기적수입역치전압화수입절점전용결정료기항SEU적능력.제출료용시밀특촉발기대체반상기적가고방안,인시밀특촉발기적전압전수특성존재일체회구간,소이유경고적번전역치,종이가획득경호적항SEU능력.방진결과표명,채용시밀특촉발기적이위기존기결구교원전로결구적항SEU능력제고료약10배.
