半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
4期
411-415
,共5页
石华芬%张海英%刘训春%陈宝钦%刘明%王云翔
石華芬%張海英%劉訓春%陳寶欽%劉明%王雲翔
석화분%장해영%류훈춘%진보흠%류명%왕운상
PMMA/PMGI/PMMA三层胶复合结构%InP PHEMT%电子束曝光%T型纳米栅
PMMA/PMGI/PMMA三層膠複閤結構%InP PHEMT%電子束曝光%T型納米柵
PMMA/PMGI/PMMA삼층효복합결구%InP PHEMT%전자속폭광%T형납미책
提出了一种新的PMMA/PMGI/PMMA三层胶复合结构,通过一次对准和电子束曝光、多次显影在InP PHEMT材料上制作出高成品率的T型纳米栅.在曝光显影条件变化20%的情况下,InP HEMT成品率达到80%以上;跨导变化范围在590～610mS/mm,夹断电压为-1.0～-1.2V,器件的栅长分布均匀.这种新的结构工艺步骤少,工艺宽容度大,重复性好,大大提高了纳米栅器件的成品率.
提齣瞭一種新的PMMA/PMGI/PMMA三層膠複閤結構,通過一次對準和電子束曝光、多次顯影在InP PHEMT材料上製作齣高成品率的T型納米柵.在曝光顯影條件變化20%的情況下,InP HEMT成品率達到80%以上;跨導變化範圍在590～610mS/mm,夾斷電壓為-1.0～-1.2V,器件的柵長分佈均勻.這種新的結構工藝步驟少,工藝寬容度大,重複性好,大大提高瞭納米柵器件的成品率.
제출료일충신적PMMA/PMGI/PMMA삼층효복합결구,통과일차대준화전자속폭광、다차현영재InP PHEMT재료상제작출고성품솔적T형납미책.재폭광현영조건변화20%적정황하,InP HEMT성품솔체도80%이상;과도변화범위재590～610mS/mm,협단전압위-1.0～-1.2V,기건적책장분포균균.저충신적결구공예보취소,공예관용도대,중복성호,대대제고료납미책기건적성품솔.
