东南大学学报(自然科学版)
東南大學學報(自然科學版)
동남대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF SOUTHEAST UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2003年
6期
717-720
,共4页
Bandgap基准源%电流求和型%低功耗
Bandgap基準源%電流求和型%低功耗
Bandgap기준원%전류구화형%저공모
为满足标准P阱CMOS工艺要求,设计了一种新的电流求和型Bandgap电压基准电路,实现了相对于地的稳定电压输出,并且能提供多电压基准输出.电路采用0.6μm UMC P阱CMOS工艺验证,HSPICE模拟结果表明:电路输出基准电压为800mV;在-40～85℃的温度变化范围内,电路温度系数仅为14×10-6/℃;电源电压为3.5V时,电路功耗低,消耗电流仅为1.5μA.该电路不需改变现有工艺,输出灵活,有望在多基准电压的低功耗系统中获得较广泛的应用.
為滿足標準P阱CMOS工藝要求,設計瞭一種新的電流求和型Bandgap電壓基準電路,實現瞭相對于地的穩定電壓輸齣,併且能提供多電壓基準輸齣.電路採用0.6μm UMC P阱CMOS工藝驗證,HSPICE模擬結果錶明:電路輸齣基準電壓為800mV;在-40～85℃的溫度變化範圍內,電路溫度繫數僅為14×10-6/℃;電源電壓為3.5V時,電路功耗低,消耗電流僅為1.5μA.該電路不需改變現有工藝,輸齣靈活,有望在多基準電壓的低功耗繫統中穫得較廣汎的應用.
위만족표준P정CMOS공예요구,설계료일충신적전류구화형Bandgap전압기준전로,실현료상대우지적은정전압수출,병차능제공다전압기준수출.전로채용0.6μm UMC P정CMOS공예험증,HSPICE모의결과표명:전로수출기준전압위800mV;재-40～85℃적온도변화범위내,전로온도계수부위14×10-6/℃;전원전압위3.5V시,전로공모저,소모전류부위1.5μA.해전로불수개변현유공예,수출령활,유망재다기준전압적저공모계통중획득교엄범적응용.
