微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2011年
1期
57-60
,共4页
张万东%陈宏%王一鹏%于奇%宁宁%王向展
張萬東%陳宏%王一鵬%于奇%寧寧%王嚮展
장만동%진굉%왕일붕%우기%저저%왕향전
带隙电压基准源%高阶曲率补偿%高电源抑制比
帶隙電壓基準源%高階麯率補償%高電源抑製比
대극전압기준원%고계곡솔보상%고전원억제비
基于分段线性补偿原理,提出了一种新的带隙基准源高阶曲率补偿方法,使电压基准源的温度特性曲线在整个工作温度范围内具有多个极值,显著提高了电压基准源的精度.采用0.5μm CMOS工艺模型进行仿真.结果表明,在-40℃～135℃的温度范围内,电压基准源的温度系数为5.8×107/℃.设计了具有提高电源抑制比功能的误差放大器,在5V电源电压下,电压基准源的电源抑制比在低频时为-95.4dB,在1kHz时为-92.4dB.
基于分段線性補償原理,提齣瞭一種新的帶隙基準源高階麯率補償方法,使電壓基準源的溫度特性麯線在整箇工作溫度範圍內具有多箇極值,顯著提高瞭電壓基準源的精度.採用0.5μm CMOS工藝模型進行倣真.結果錶明,在-40℃～135℃的溫度範圍內,電壓基準源的溫度繫數為5.8×107/℃.設計瞭具有提高電源抑製比功能的誤差放大器,在5V電源電壓下,電壓基準源的電源抑製比在低頻時為-95.4dB,在1kHz時為-92.4dB.
기우분단선성보상원리,제출료일충신적대극기준원고계곡솔보상방법,사전압기준원적온도특성곡선재정개공작온도범위내구유다개겁치,현저제고료전압기준원적정도.채용0.5μm CMOS공예모형진행방진.결과표명,재-40℃～135℃적온도범위내,전압기준원적온도계수위5.8×107/℃.설계료구유제고전원억제비공능적오차방대기,재5V전원전압하,전압기준원적전원억제비재저빈시위-95.4dB,재1kHz시위-92.4dB.
