半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
8期
614-618
,共5页
蔡二辉%汤斌兵%周剑%辛超%周浪
蔡二輝%湯斌兵%週劍%辛超%週浪
채이휘%탕빈병%주검%신초%주랑
硅片%切割%表面损伤%少子寿命%钝化
硅片%切割%錶麵損傷%少子壽命%鈍化
규편%절할%표면손상%소자수명%둔화
对比观察了不同工艺条件下金刚石线锯和砂浆线锯切割晶体Si片的表面微观形貌；分析了其切割机理及去除模式；对比分析了三种不同化学方法钝化Si片的效果和稳定性；采用逐层腐蚀去除Si片的损伤层,使用碘酒对其进行化学钝化,然后测试其少子寿命,分析Si片少子寿命随去除深度的变化趋势,根据Si片少子寿命达到最大值时的腐蚀深度,测试确定Si片的损伤层厚度.经实验测得,砂浆线锯切割Si片的损伤层厚度为10 μm左右,金刚石线锯切割Si片的损伤层厚度为6 μm左右.结果表明,相比于砂浆线锯切割Si片,金刚石线锯切割Si片造成的表面损伤层更浅,表面的机械损伤也更小.
對比觀察瞭不同工藝條件下金剛石線鋸和砂漿線鋸切割晶體Si片的錶麵微觀形貌；分析瞭其切割機理及去除模式；對比分析瞭三種不同化學方法鈍化Si片的效果和穩定性；採用逐層腐蝕去除Si片的損傷層,使用碘酒對其進行化學鈍化,然後測試其少子壽命,分析Si片少子壽命隨去除深度的變化趨勢,根據Si片少子壽命達到最大值時的腐蝕深度,測試確定Si片的損傷層厚度.經實驗測得,砂漿線鋸切割Si片的損傷層厚度為10 μm左右,金剛石線鋸切割Si片的損傷層厚度為6 μm左右.結果錶明,相比于砂漿線鋸切割Si片,金剛石線鋸切割Si片造成的錶麵損傷層更淺,錶麵的機械損傷也更小.
대비관찰료불동공예조건하금강석선거화사장선거절할정체Si편적표면미관형모；분석료기절할궤리급거제모식；대비분석료삼충불동화학방법둔화Si편적효과화은정성；채용축층부식거제Si편적손상층,사용전주대기진행화학둔화,연후측시기소자수명,분석Si편소자수명수거제심도적변화추세,근거Si편소자수명체도최대치시적부식심도,측시학정Si편적손상층후도.경실험측득,사장선거절할Si편적손상층후도위10 μm좌우,금강석선거절할Si편적손상층후도위6 μm좌우.결과표명,상비우사장선거절할Si편,금강석선거절할Si편조성적표면손상층경천,표면적궤계손상야경소.
