微细加工技术
微細加工技術
미세가공기술
MICROFABRICATION TECHNOLOGY
2004年
1期
23-27,46
,共6页
静电偏转器%二阶有限元%优化%像差
靜電偏轉器%二階有限元%優化%像差
정전편전기%이계유한원%우화%상차
基于纳米曝光要求和JSM-35CF型扫描电镜,设计了一组上下偏转器长度不一致的静电偏转器,使偏转灵敏度大大提高.采用二阶有限元法计算了八极静电偏转器的轴上场分布.高精度的场分布有利于高级像差.为了使系统的总体像差最小,结合具体电子光学系统,用最小二乘法对偏转器的激励强度、转角及其在系统中的位置进行优化,得到直至五级分量的像差.动态校正后,偏转场为80μm×80μm时,束斑分辨率约为3.2 am;偏转场大小为1 mm×1 mm时,束斑分辨率约为29.8 nm.结果表明,应用该组静电偏转器的电子光学系统的分辨率满足纳米曝光的要求.
基于納米曝光要求和JSM-35CF型掃描電鏡,設計瞭一組上下偏轉器長度不一緻的靜電偏轉器,使偏轉靈敏度大大提高.採用二階有限元法計算瞭八極靜電偏轉器的軸上場分佈.高精度的場分佈有利于高級像差.為瞭使繫統的總體像差最小,結閤具體電子光學繫統,用最小二乘法對偏轉器的激勵彊度、轉角及其在繫統中的位置進行優化,得到直至五級分量的像差.動態校正後,偏轉場為80μm×80μm時,束斑分辨率約為3.2 am;偏轉場大小為1 mm×1 mm時,束斑分辨率約為29.8 nm.結果錶明,應用該組靜電偏轉器的電子光學繫統的分辨率滿足納米曝光的要求.
기우납미폭광요구화JSM-35CF형소묘전경,설계료일조상하편전기장도불일치적정전편전기,사편전령민도대대제고.채용이계유한원법계산료팔겁정전편전기적축상장분포.고정도적장분포유리우고급상차.위료사계통적총체상차최소,결합구체전자광학계통,용최소이승법대편전기적격려강도、전각급기재계통중적위치진행우화,득도직지오급분량적상차.동태교정후,편전장위80μm×80μm시,속반분변솔약위3.2 am;편전장대소위1 mm×1 mm시,속반분변솔약위29.8 nm.결과표명,응용해조정전편전기적전자광학계통적분변솔만족납미폭광적요구.
