半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
z1期
396-399
,共4页
张楷亮%宋志棠%钟旻%郑鸣捷%封松林
張楷亮%宋誌棠%鐘旻%鄭鳴捷%封鬆林
장해량%송지당%종민%정명첩%봉송림
硅晶片%双面抛光%化学机械抛光%抛光液
硅晶片%雙麵拋光%化學機械拋光%拋光液
규정편%쌍면포광%화학궤계포광%포광액
为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光实验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶片表面测试仪、AFM进行了表征.结果表明:与进口抛光液Nalco2350相比,SIMIT8030-Ⅰ型抛光液不仅提高抛光速率40%(14μm/h vs 10μm/h);而且表面平坦性TTV和TIR得到改善;表面粗糙度由0.4728nm降至0.2874nm,即提高抛光速率同时显著改善了抛光表面平坦性和粗糙度.
為提高硅晶片雙麵超精密拋光的拋光速率,在分析雙拋工藝過程基礎上,採用自製大粒徑二氧化硅膠體磨料配製瞭SIMIT8030-Ⅰ型新型納米拋光液,在雙墊雙拋機檯上進行拋光實驗.拋光液、拋光前後厚度、平坦性能及粗糙度通過SEM、ADE-9520型晶片錶麵測試儀、AFM進行瞭錶徵.結果錶明:與進口拋光液Nalco2350相比,SIMIT8030-Ⅰ型拋光液不僅提高拋光速率40%(14μm/h vs 10μm/h);而且錶麵平坦性TTV和TIR得到改善;錶麵粗糙度由0.4728nm降至0.2874nm,即提高拋光速率同時顯著改善瞭拋光錶麵平坦性和粗糙度.
위제고규정편쌍면초정밀포광적포광속솔,재분석쌍포공예과정기출상,채용자제대립경이양화규효체마료배제료SIMIT8030-Ⅰ형신형납미포광액,재쌍점쌍포궤태상진행포광실험.포광액、포광전후후도、평탄성능급조조도통과SEM、ADE-9520형정편표면측시의、AFM진행료표정.결과표명:여진구포광액Nalco2350상비,SIMIT8030-Ⅰ형포광액불부제고포광속솔40%(14μm/h vs 10μm/h);이차표면평탄성TTV화TIR득도개선;표면조조도유0.4728nm강지0.2874nm,즉제고포광속솔동시현저개선료포광표면평탄성화조조도.
