河南教育学院学报（自然科学版）
河南教育學院學報（自然科學版）
하남교육학원학보（자연과학판）
JOURNAL OF HENAN EDUCATION INSTITUTE (NATURAL SCIENCE EDITION)
2001年
3期
17-20
,共4页
陈旭方%樊社民%宋友林%贾瑜%姚乾凯
陳旭方%樊社民%宋友林%賈瑜%姚乾凱
진욱방%번사민%송우림%가유%요건개
紧束缚计算%高弥勒指数表面%表面态和表面共振态%Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物
緊束縳計算%高瀰勒指數錶麵%錶麵態和錶麵共振態%Ⅲ-Ⅴ族半導體化閤物
긴속박계산%고미륵지수표면%표면태화표면공진태%Ⅲ-Ⅴ족반도체화합물
本文用紧束缚方法计算了Ⅲ-Ⅴ半导体化合物GaP、GaAs、AlAs和InAs(311)B表面的表面电子结构.半导体材料的体电子结构采用考虑次近邻相互作用的sp3模型描述,表面电子结构通过求解形式散射理论的格林函数方程得到.我们给出了四种半导体材料的表面投影能带结构和与它们相对应的各个表面态,讨论了各个表面态沿表面布里渊区高对称线Γ-Y-S-X-Γ的色散关系.通过比较给出了Ⅲ-Ⅴ半导体化合物GaP、GaAs、AlAs和InAs等(311)B表面共同的表面电子结构特征.
本文用緊束縳方法計算瞭Ⅲ-Ⅴ半導體化閤物GaP、GaAs、AlAs和InAs(311)B錶麵的錶麵電子結構.半導體材料的體電子結構採用攷慮次近鄰相互作用的sp3模型描述,錶麵電子結構通過求解形式散射理論的格林函數方程得到.我們給齣瞭四種半導體材料的錶麵投影能帶結構和與它們相對應的各箇錶麵態,討論瞭各箇錶麵態沿錶麵佈裏淵區高對稱線Γ-Y-S-X-Γ的色散關繫.通過比較給齣瞭Ⅲ-Ⅴ半導體化閤物GaP、GaAs、AlAs和InAs等(311)B錶麵共同的錶麵電子結構特徵.
본문용긴속박방법계산료Ⅲ-Ⅴ반도체화합물GaP、GaAs、AlAs화InAs(311)B표면적표면전자결구.반도체재료적체전자결구채용고필차근린상호작용적sp3모형묘술,표면전자결구통과구해형식산사이론적격림함수방정득도.아문급출료사충반도체재료적표면투영능대결구화여타문상대응적각개표면태,토론료각개표면태연표면포리연구고대칭선Γ-Y-S-X-Γ적색산관계.통과비교급출료Ⅲ-Ⅴ반도체화합물GaP、GaAs、AlAs화InAs등(311)B표면공동적표면전자결구특정.
