半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2006年
7期
515-519
,共5页
射频磁控溅射%ZnO薄膜%气体组分%氮钝化
射頻磁控濺射%ZnO薄膜%氣體組分%氮鈍化
사빈자공천사%ZnO박막%기체조분%담둔화
以ZnO为靶材,采用射频磁控溅射法,在衬底温度为450℃、混合气体压强为1.3Pa的条件下,在石英玻璃和抛光单晶硅衬底上沉积了一系列呈六角纤锌矿结构、沿(0002)晶面高度取向生长的ZnO薄膜.利用X射线衍射、四探针、原子力显微镜、吸收光谱和光致荧光光谱等实验分别对薄膜样品的晶体结构、表面形貌和光电特性进行了分析表征.结果表明,氮对ZnO薄膜的缺陷有明显的钝化作用,气体组分、溅射功率是影响ZnO薄膜沿C轴择优取向生长、结构特征和光电性质的重要因素.
以ZnO為靶材,採用射頻磁控濺射法,在襯底溫度為450℃、混閤氣體壓彊為1.3Pa的條件下,在石英玻璃和拋光單晶硅襯底上沉積瞭一繫列呈六角纖鋅礦結構、沿(0002)晶麵高度取嚮生長的ZnO薄膜.利用X射線衍射、四探針、原子力顯微鏡、吸收光譜和光緻熒光光譜等實驗分彆對薄膜樣品的晶體結構、錶麵形貌和光電特性進行瞭分析錶徵.結果錶明,氮對ZnO薄膜的缺陷有明顯的鈍化作用,氣體組分、濺射功率是影響ZnO薄膜沿C軸擇優取嚮生長、結構特徵和光電性質的重要因素.
이ZnO위파재,채용사빈자공천사법,재츤저온도위450℃、혼합기체압강위1.3Pa적조건하,재석영파리화포광단정규츤저상침적료일계렬정륙각섬자광결구、연(0002)정면고도취향생장적ZnO박막.이용X사선연사、사탐침、원자력현미경、흡수광보화광치형광광보등실험분별대박막양품적정체결구、표면형모화광전특성진행료분석표정.결과표명,담대ZnO박막적결함유명현적둔화작용,기체조분、천사공솔시영향ZnO박막연C축택우취향생장、결구특정화광전성질적중요인소.
