CAJ | 학술논문

设计了一种新结构InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT),在集电区与基区之间插入n+-InP层,以降低集电结的导带势垒尖峰,克服电流阻挡效应.采用基于热场发射和连续性方程的发射透射模型,计算了n+-InP插入层掺杂浓度和厚度对InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带有效势垒高度和I-V特性的影响.结果表明,当n+-InP插入层掺杂浓度为3×1019cm-3、厚度为3nm时,可以获得较好的器件特性.采用气态源分子束外延(GSMBE)技术成功地生长出InP/InGaAs/InP DHBT结构材料.器件研制结果表明,所设计的DHBT材料结构能有效降低集电结的导带势垒尖峰,显著改善器件的输出特性.
설계료일충신결구InP/InGaAs/InP쌍이질결쌍겁정체관(DHBT),재집전구여기구지간삽입n+-InP층,이강저집전결적도대세루첨봉,극복전류조당효응.채용기우열장발사화련속성방정적발사투사모형,계산료n+-InP삽입층참잡농도화후도대InP/InGaAs/InP DHBT집전결도대유효세루고도화I-V특성적영향.결과표명,당n+-InP삽입층참잡농도위3×1019cm-3、후도위3nm시,가이획득교호적기건특성.채용기태원분자속외연(GSMBE)기술성공지생장출InP/InGaAs/InP DHBT결구재료.기건연제결과표명,소설계적DHBT재료결구능유효강저집전결적도대세루첨봉,현저개선기건적수출특성.