微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2008年
5期
293-297
,共5页
化学机械抛光%声发射信号在线检测%普莱斯顿方程%低k材料%表面形貌
化學機械拋光%聲髮射信號在線檢測%普萊斯頓方程%低k材料%錶麵形貌
화학궤계포광%성발사신호재선검측%보래사돈방정%저k재료%표면형모
阐述了低k材料在IC电路中的作用及其性质,以SiO2、SiOF、SiOCSP、SiOCNSP、SiOCSO五种材料为研究对象,分析了低k材料与Cu互连工艺的相互联系和作用.在Sikder和Kumar提供的声发射信号(AE)的在线监测图的基础上比较和分析了五种材料的硬度和模数值;根据Preston方程绘制九点测量数据图,发现前三种材料可满足抛光机理,而后两种的抛光行为更倾向于表面反应;根据五种材料抛光前后的实验数据表面形态图表,判断出抛光后材料粗糙度的走向.最后指出低k材料需要发展和完善的工艺及对抛光设备的进一步要求.
闡述瞭低k材料在IC電路中的作用及其性質,以SiO2、SiOF、SiOCSP、SiOCNSP、SiOCSO五種材料為研究對象,分析瞭低k材料與Cu互連工藝的相互聯繫和作用.在Sikder和Kumar提供的聲髮射信號(AE)的在線鑑測圖的基礎上比較和分析瞭五種材料的硬度和模數值;根據Preston方程繪製九點測量數據圖,髮現前三種材料可滿足拋光機理,而後兩種的拋光行為更傾嚮于錶麵反應;根據五種材料拋光前後的實驗數據錶麵形態圖錶,判斷齣拋光後材料粗糙度的走嚮.最後指齣低k材料需要髮展和完善的工藝及對拋光設備的進一步要求.
천술료저k재료재IC전로중적작용급기성질,이SiO2、SiOF、SiOCSP、SiOCNSP、SiOCSO오충재료위연구대상,분석료저k재료여Cu호련공예적상호련계화작용.재Sikder화Kumar제공적성발사신호(AE)적재선감측도적기출상비교화분석료오충재료적경도화모수치;근거Preston방정회제구점측량수거도,발현전삼충재료가만족포광궤리,이후량충적포광행위경경향우표면반응;근거오충재료포광전후적실험수거표면형태도표,판단출포광후재료조조도적주향.최후지출저k재료수요발전화완선적공예급대포광설비적진일보요구.
