核电子学与探测技术
覈電子學與探測技術
핵전자학여탐측기술
NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY
2011年
4期
373-377
,共5页
张翼%杨祎罡%李元景%赵新强
張翼%楊祎罡%李元景%趙新彊
장익%양의강%리원경%조신강
正电子分析%轫致辐射X射线%电子对效应%缺陷检测
正電子分析%軔緻輻射X射線%電子對效應%缺陷檢測
정전자분석%인치복사X사선%전자대효응%결함검측
针对现有的正电子分析方法无法分析材料内部缺陷的缺点,提出了一种新的正电子分析方法--光致正电子分析.利用加速器打靶产生的轫致辐射X射线照射样品,通过光子在材料内部发生的电子对效应来产生正电子,然后测量511 keV湮没光子进行正电子分析.通过模拟计算定量研究了该方法用于正电子分析的灵敏度、屏蔽条件等问题;建立了一套实验系统,在该系统上成功实现了对511keV湮没光子能谱的精确测量,并在低碳钢样品的缺陷含量与测量结果之间得到了对应关系.
針對現有的正電子分析方法無法分析材料內部缺陷的缺點,提齣瞭一種新的正電子分析方法--光緻正電子分析.利用加速器打靶產生的軔緻輻射X射線照射樣品,通過光子在材料內部髮生的電子對效應來產生正電子,然後測量511 keV湮沒光子進行正電子分析.通過模擬計算定量研究瞭該方法用于正電子分析的靈敏度、屏蔽條件等問題;建立瞭一套實驗繫統,在該繫統上成功實現瞭對511keV湮沒光子能譜的精確測量,併在低碳鋼樣品的缺陷含量與測量結果之間得到瞭對應關繫.
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