电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2011年
7期
35-38
,共4页
李磊%黄维刚%童冰聪
李磊%黃維剛%童冰聰
리뢰%황유강%동빙총
GdVO4∶Tm3+%共沉淀法%稀土%荧光粉
GdVO4∶Tm3+%共沉澱法%稀土%熒光粉
GdVO4∶Tm3+%공침정법%희토%형광분
采用共沉淀法制备了GdVO4∶Tm3+蓝色荧光粉,通过差热-热重(TG-DSC)分析仪,X射线粉末衍射仪、扫描电镜(SEM)及荧光分光光度计研究了前驱体晶化行为及不同制备条件对荧光粉晶体结构、颗粒形貌及发光性能的影响。研究表明:所得前驱体已有GdVO4∶Tm3+晶体形成,但结晶度较低。沉淀剂的滴定速度对荧光粉体的形貌和发光性能均有影响,较合适的滴定速度为8.0 mL/min。实验所得GdVO4:Tm3+荧光粉的激发光谱为位于200~350nm的宽带,主激发峰位于270 nm左右,发射光谱波长位于476 nm处,呈明亮的蓝光。
採用共沉澱法製備瞭GdVO4∶Tm3+藍色熒光粉,通過差熱-熱重(TG-DSC)分析儀,X射線粉末衍射儀、掃描電鏡(SEM)及熒光分光光度計研究瞭前驅體晶化行為及不同製備條件對熒光粉晶體結構、顆粒形貌及髮光性能的影響。研究錶明:所得前驅體已有GdVO4∶Tm3+晶體形成,但結晶度較低。沉澱劑的滴定速度對熒光粉體的形貌和髮光性能均有影響,較閤適的滴定速度為8.0 mL/min。實驗所得GdVO4:Tm3+熒光粉的激髮光譜為位于200~350nm的寬帶,主激髮峰位于270 nm左右,髮射光譜波長位于476 nm處,呈明亮的藍光。
채용공침정법제비료GdVO4∶Tm3+람색형광분,통과차열-열중(TG-DSC)분석의,X사선분말연사의、소묘전경(SEM)급형광분광광도계연구료전구체정화행위급불동제비조건대형광분정체결구、과립형모급발광성능적영향。연구표명:소득전구체이유GdVO4∶Tm3+정체형성,단결정도교저。침정제적적정속도대형광분체적형모화발광성능균유영향,교합괄적적정속도위8.0 mL/min。실험소득GdVO4:Tm3+형광분적격발광보위위우200~350nm적관대,주격발봉위우270 nm좌우,발사광보파장위우476 nm처,정명량적람광。