(Ga,Mn)As体系中Mn无序对其电子结构及磁性影响的第一性原理研究
(Ga,Mn)As체계중Mn무서대기전자결구급자성영향적제일성원리연구
The effect of Mn disorder on the electronic and magnetic properties of (Ga,Mn) As:A first principles study
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2004年 5期 1516-1519 ,共4页

    郭旭光%陈效双%孙沿林%周孝好%孙立忠%陆卫

    곽욱광%진효쌍%손연림%주효호%손립충%륙위

    稀磁半导体%(Ga%Mn)As%密度泛函理论 稀磁半導體%(Ga%Mn)As%密度汎函理論
    희자반도체%(Ga%Mn)As%밀도범함이론
    用基于第一性原理的赝势平面波方法计算了稀磁半导体(Ga,Mn)As中磁性杂质Mn分布无序对其电子结构和磁性的影响.计算结果表明代替Ga位的Mn原子的自旋按铁磁序排列.Mn掺杂导致了显著的局部晶格畸变.Mn分布无序使空穴的局域性加强.总能计算结果表明(Ga,Mn)As体系中Mn原子趋向于形成Mn团簇.
    용기우제일성원리적안세평면파방법계산료희자반도체(Ga,Mn)As중자성잡질Mn분포무서대기전자결구화자성적영향.계산결과표명대체Ga위적Mn원자적자선안철자서배렬.Mn참잡도치료현저적국부정격기변.Mn분포무서사공혈적국역성가강.총능계산결과표명(Ga,Mn)As체계중Mn원자추향우형성Mn단족.
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