粉末冶金材料科学与工程
粉末冶金材料科學與工程
분말야금재료과학여공정
POWDER METALLURGY MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING
2006年
5期
281-285
,共5页
肖来荣%许谅亮%易丹青%李荐%蔡志刚
肖來榮%許諒亮%易丹青%李薦%蔡誌剛
초래영%허량량%역단청%리천%채지강
料浆烧结%C/C复合材料%硅化物%抗氧化涂层
料漿燒結%C/C複閤材料%硅化物%抗氧化塗層
료장소결%C/C복합재료%규화물%항양화도층
采用料浆烧结法在1 450 ℃温度下烧结制备了C/C复合材料硅化物高温抗氧化涂层, 通过XRD和SEM分析涂层结构及相组成, 并对涂层形成机理及涂层氧化前后的结构和形貌变化进行了研究. 结果表明: 在C/C复合材料表面生成了以MoSi2为主、含部分SiC的两相硅化物主体层, 同时在主体层和基体间生成SiC过渡层, 保证了涂层与基体的良好结合;涂层在1 500 ℃下氧化生成SiO2玻璃膜, 阻挡了氧向基体内部的扩散;氧化过程中Si元素的扩散导致涂层内部微裂纹增多, 同时SiC过渡层厚度增加.
採用料漿燒結法在1 450 ℃溫度下燒結製備瞭C/C複閤材料硅化物高溫抗氧化塗層, 通過XRD和SEM分析塗層結構及相組成, 併對塗層形成機理及塗層氧化前後的結構和形貌變化進行瞭研究. 結果錶明: 在C/C複閤材料錶麵生成瞭以MoSi2為主、含部分SiC的兩相硅化物主體層, 同時在主體層和基體間生成SiC過渡層, 保證瞭塗層與基體的良好結閤;塗層在1 500 ℃下氧化生成SiO2玻璃膜, 阻擋瞭氧嚮基體內部的擴散;氧化過程中Si元素的擴散導緻塗層內部微裂紋增多, 同時SiC過渡層厚度增加.
채용료장소결법재1 450 ℃온도하소결제비료C/C복합재료규화물고온항양화도층, 통과XRD화SEM분석도층결구급상조성, 병대도층형성궤리급도층양화전후적결구화형모변화진행료연구. 결과표명: 재C/C복합재료표면생성료이MoSi2위주、함부분SiC적량상규화물주체층, 동시재주체층화기체간생성SiC과도층, 보증료도층여기체적량호결합;도층재1 500 ℃하양화생성SiO2파리막, 조당료양향기체내부적확산;양화과정중Si원소적확산도치도층내부미렬문증다, 동시SiC과도층후도증가.
