山东师范大学学报（自然科学版）
山東師範大學學報（自然科學版）
산동사범대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SHANGOND NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2007年
2期
44-47
,共4页
邹倩%杨诚%魏显起%董庆瑞%滕树云%程传福
鄒倩%楊誠%魏顯起%董慶瑞%滕樹雲%程傳福
추천%양성%위현기%동경서%등수운%정전복
激光溅射沉积%氮化镓薄膜%原子力显微镜%高度-高度相关函数
激光濺射沉積%氮化鎵薄膜%原子力顯微鏡%高度-高度相關函數
격광천사침적%담화가박막%원자력현미경%고도-고도상관함수
利用激光溅射沉积工艺室温下在n型Si(111)基片上沉积氮化镓(GaN)薄膜,并用原子力显微镜对其表面形貌进行测量,分析了薄膜生长的动力学过程,发现其表面具有自仿射分形特征.通过对高度-高度相关函数的分析,得出在此工艺条件下GaN薄膜生长界面表现出明显的时间和空间标度特性,并且表现出较为明显的颗粒特征,粗糙度指数α随着生长时间的增加逐渐增大,生长指数β在0.42左右,薄膜生长在短时间内可以用Kuramoto-Sivashinsky模型来描述,当生长时间较长时,可以用Mullins扩散模型来描述.
利用激光濺射沉積工藝室溫下在n型Si(111)基片上沉積氮化鎵(GaN)薄膜,併用原子力顯微鏡對其錶麵形貌進行測量,分析瞭薄膜生長的動力學過程,髮現其錶麵具有自倣射分形特徵.通過對高度-高度相關函數的分析,得齣在此工藝條件下GaN薄膜生長界麵錶現齣明顯的時間和空間標度特性,併且錶現齣較為明顯的顆粒特徵,粗糙度指數α隨著生長時間的增加逐漸增大,生長指數β在0.42左右,薄膜生長在短時間內可以用Kuramoto-Sivashinsky模型來描述,噹生長時間較長時,可以用Mullins擴散模型來描述.
이용격광천사침적공예실온하재n형Si(111)기편상침적담화가(GaN)박막,병용원자력현미경대기표면형모진행측량,분석료박막생장적동역학과정,발현기표면구유자방사분형특정.통과대고도-고도상관함수적분석,득출재차공예조건하GaN박막생장계면표현출명현적시간화공간표도특성,병차표현출교위명현적과립특정,조조도지수α수착생장시간적증가축점증대,생장지수β재0.42좌우,박막생장재단시간내가이용Kuramoto-Sivashinsky모형래묘술,당생장시간교장시,가이용Mullins확산모형래묘술.
