退火及溅射气氛对氮化硅薄膜光致发光的影响
퇴화급천사기분대담화규박막광치발광적영향
Influence of Annealing and Sputtering Ambience on the Photoluminescence of Silicon Nitride Thin Films
  • 万方数据
    光谱学与光谱分析 광보학여광보분석
    SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ANALYSIS
    2008年 11期 2494-2497 ,共4页

    贾晓昀%徐征%赵谡玲%张福俊%赵德威%唐煜%李远%周春兰%王文静

    가효윤%서정%조속령%장복준%조덕위%당욱%리원%주춘란%왕문정

    磁控反应溅射%氮化硅%光致发光%量子限域效应 磁控反應濺射%氮化硅%光緻髮光%量子限域效應
    자공반응천사%담화규%광치발광%양자한역효응
    利用射频磁控反应溅射方法制备富硅的氮化硅薄膜.衬底材料为抛光的硅片,靶材为硅靶,在Ar-N2气环境下,通过改变两种气体的组分比来改变样品成分,并在高纯N2气氛下对其进行高温退火处理.用X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射(XRD)对样品进行了表征,并测试了样品的光致发光谱(PL).实验结果表明:X射线光电子能谱中出现了Si-N键合结构,同时还有少量的Si-O键生成,通过计算得出Si/N比值约为1.51,制备出了富硅的氮化硅薄膜;薄膜未经退火前,在可见光区域没有观察到明显的光致发光峰,经过高温退火后,XRD中新出现的衍射峰证实了纳米硅团簇的生成,PL图谱中在可见光区域出现了光致发光峰的蓝移现象,结合XRD结果,用纳米晶的量子限域效应对上述现象进行了合理解释.
    이용사빈자공반응천사방법제비부규적담화규박막.츤저재료위포광적규편,파재위규파,재Ar-N2기배경하,통과개변량충기체적조분비래개변양품성분,병재고순N2기분하대기진행고온퇴화처리.용X사선광전자능보(XPS)화X사선연사(XRD)대양품진행료표정,병측시료양품적광치발광보(PL).실험결과표명:X사선광전자능보중출현료Si-N건합결구,동시환유소량적Si-O건생성,통과계산득출Si/N비치약위1.51,제비출료부규적담화규박막;박막미경퇴화전,재가견광구역몰유관찰도명현적광치발광봉,경과고온퇴화후,XRD중신출현적연사봉증실료납미규단족적생성,PL도보중재가견광구역출현료광치발광봉적람이현상,결합XRD결과,용납미정적양자한역효응대상술현상진행료합리해석.
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