无机材料学报
無機材料學報
무궤재료학보
JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS
2008年
6期
1096-1100
,共5页
刘明%魏玮%曲盛薇%谷建峰%马春雨%张庆瑜
劉明%魏瑋%麯盛薇%穀建峰%馬春雨%張慶瑜
류명%위위%곡성미%곡건봉%마춘우%장경유
ZnO薄膜%反应磁控溅射%形貌分析%光学特性
ZnO薄膜%反應磁控濺射%形貌分析%光學特性
ZnO박막%반응자공천사%형모분석%광학특성
采用反应射频磁控溅射方法,在Si(001)基片上制备了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜.利用原子力显微镜、X射线衍射,透射光谱和室温光致荧光光谱等分析技术,研究了氧分压对薄膜的表面形貌和光学特性的影响.研究结果显示:0.04～0.23Pa的氧分压范围内,ZnO薄膜存在三个不同的生长模式,薄膜生长模式转变的临界氧分压分别位于0.04～0.08Pa和0.16～0.19Pa之间;在0.16Pa以下时,ZnO薄膜的表面岛呈+c取向的竹笋状生长;当氧分压＞0.19Pa时,薄膜的表面岛以-c取向生长为主;ZnO薄膜的折射率,光学带隙宽度以及PL光谱强度均随着氧分压的增大而增大,氧分压为0.19Pa时,薄膜的发光峰最窄,其半峰宽为88meV.
採用反應射頻磁控濺射方法,在Si(001)基片上製備瞭具有高c軸擇優取嚮的ZnO薄膜.利用原子力顯微鏡、X射線衍射,透射光譜和室溫光緻熒光光譜等分析技術,研究瞭氧分壓對薄膜的錶麵形貌和光學特性的影響.研究結果顯示:0.04～0.23Pa的氧分壓範圍內,ZnO薄膜存在三箇不同的生長模式,薄膜生長模式轉變的臨界氧分壓分彆位于0.04～0.08Pa和0.16～0.19Pa之間;在0.16Pa以下時,ZnO薄膜的錶麵島呈+c取嚮的竹筍狀生長;噹氧分壓＞0.19Pa時,薄膜的錶麵島以-c取嚮生長為主;ZnO薄膜的摺射率,光學帶隙寬度以及PL光譜彊度均隨著氧分壓的增大而增大,氧分壓為0.19Pa時,薄膜的髮光峰最窄,其半峰寬為88meV.
채용반응사빈자공천사방법,재Si(001)기편상제비료구유고c축택우취향적ZnO박막.이용원자력현미경、X사선연사,투사광보화실온광치형광광보등분석기술,연구료양분압대박막적표면형모화광학특성적영향.연구결과현시:0.04～0.23Pa적양분압범위내,ZnO박막존재삼개불동적생장모식,박막생장모식전변적림계양분압분별위우0.04～0.08Pa화0.16～0.19Pa지간;재0.16Pa이하시,ZnO박막적표면도정+c취향적죽순상생장;당양분압＞0.19Pa시,박막적표면도이-c취향생장위주;ZnO박막적절사솔,광학대극관도이급PL광보강도균수착양분압적증대이증대,양분압위0.19Pa시,박막적발광봉최착,기반봉관위88meV.
