发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2009年
2期
214-218
,共5页
杨成良%叶慧琪%王文新%高汉超%胡长城%刘宝利%陈弘
楊成良%葉慧琪%王文新%高漢超%鬍長城%劉寶利%陳弘
양성량%협혜기%왕문신%고한초%호장성%류보리%진홍
时间分辨克尔旋转谱%多量子阱%分子束外延%光致发光
時間分辨剋爾鏇轉譜%多量子阱%分子束外延%光緻髮光
시간분변극이선전보%다양자정%분자속외연%광치발광
用固源分子束外延技术(SSMBE)在GaAs(111)衬底上,采用不同的界面中断时间生长了多组AlGaAs/GaAs多量子阱样品(MQWs),通过室温发光光谱和时间分辨克尔旋转谱(TRKR)研究了界面生长中断对发光光谱半峰全宽(FWHM)和量子阱中电子自旋弛豫时间(自旋寿命)的影响,发现了自旋寿命随着界面生长中断时间的增加呈现先减小后增加的趋势,此变化趋势与荧光光谱半峰全宽表征的材料质量随中断时间的变化一致,适当的界面生长中断时间能有效的增加GaAs (111)衬底上AlGaAs/GaAs 多量子阱中电子自旋寿命.
用固源分子束外延技術(SSMBE)在GaAs(111)襯底上,採用不同的界麵中斷時間生長瞭多組AlGaAs/GaAs多量子阱樣品(MQWs),通過室溫髮光光譜和時間分辨剋爾鏇轉譜(TRKR)研究瞭界麵生長中斷對髮光光譜半峰全寬(FWHM)和量子阱中電子自鏇弛豫時間(自鏇壽命)的影響,髮現瞭自鏇壽命隨著界麵生長中斷時間的增加呈現先減小後增加的趨勢,此變化趨勢與熒光光譜半峰全寬錶徵的材料質量隨中斷時間的變化一緻,適噹的界麵生長中斷時間能有效的增加GaAs (111)襯底上AlGaAs/GaAs 多量子阱中電子自鏇壽命.
용고원분자속외연기술(SSMBE)재GaAs(111)츤저상,채용불동적계면중단시간생장료다조AlGaAs/GaAs다양자정양품(MQWs),통과실온발광광보화시간분변극이선전보(TRKR)연구료계면생장중단대발광광보반봉전관(FWHM)화양자정중전자자선이예시간(자선수명)적영향,발현료자선수명수착계면생장중단시간적증가정현선감소후증가적추세,차변화추세여형광광보반봉전관표정적재료질량수중단시간적변화일치,괄당적계면생장중단시간능유효적증가GaAs (111)츤저상AlGaAs/GaAs 다양자정중전자자선수명.
